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tle 4206
半导体 组 8 1998-02-01
输入-接口
输入 ref
安静的 电压
V
REFq
–200–mV
I
REF
= 0
µ
一个
输入 阻抗
R
REF
–6–k
Ω
0 v <
V
REF
< 0.5 v
输入 fb
安静的 电压
V
FBq
–200–mV
I
FB
= 0
µ
一个
输入 阻抗
R
FB
–6–k
Ω
0 v <
V
FB
< 0.5 v
输入/输出 hyst
电流 放大器
一个
HYST
=
I
HYST
/ (
I
REF
–
I
FB
)
一个
HYST
0.8 0.95 1.1
−
–20
µ
一个 <
I
HYST
< – 10
µ
一个;
10
µ
一个 <
I
HYST
< 20
µ
一个;
I
REF
=250
µ
一个
V
HYST
=
V
S
/ 2
电流 补偿
I
HYSTIO
–2 0.5 3
µ
一个
I
REF
=
I
FB
=250
µ
一个
V
HYST
=
V
S
/ 2
门槛 电压 高
V
HYH
/
V
S
–52–%–
deadband 电压 高
V
DBH
/
V
S
–50.4–%–
deadband 电压 低
V
DBL
/
V
S
–49.6–%–
门槛 电压 低
V
HYL
/
V
S
–48–%–
hysteresis window
V
HYW
/
V
S
345%(
V
HYH
–
V
HYL
)/
V
S
deadband window
V
DBW
/
V
S
0.4 0.8 1.2 % (
V
DBH
–
V
DBL
)/
V
S
电的 特性
(内容’d)
8 v <
V
S
< 18 v;
I
out1-2
= 0 一个; – 40
°
c <
T
j
< 150
°
C
(除非 否则 指定)
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值

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tle 4206 半导体组 8 1998-02-01 输入-接口输入 ref 安静的电压 V REFq –200–mV I REF = 0 µ 一个输入阻抗 R REF –6–k Ω 0 v < V REF < 0.5 v 输入 fb 安静的电压 V FBq –200–mV I FB = 0 µ 一个输入阻抗 R FB –6–k Ω 0 v < V FB < 0.5 v 输入/输出 hyst 电流放大器一个 HYST = I HYST / ( I REF – I FB ) 一个 HYST 0.8 0.95 1.1 − –20 µ 一个 < I HYST < – 10 µ 一个; 10 µ 一个 < I HYST < 20 µ 一个; I REF =250 µ 一个 V HYST = V S / 2 电流补偿 I HYSTIO –2 0.5 3 µ 一个 I REF = I FB =250 µ 一个 V HYST = V S / 2 门槛电压高 V HYH / V S –52–%– deadband 电压高 V DBH / V S –50.4–%– deadband 电压低 V DBL / V S –49.6–%– 门槛电压低 V HYL / V S –48–%– hysteresis window V HYW / V S 345%( V HYH – V HYL )/ V S deadband window V DBW / V S 0.4 0.8 1.2 % ( V DBH – V DBL )/ V S 电的特性 (内容’d) 8 v < V S < 18 v; I out1-2 = 0 一个; – 40 ° c < T j < 150 ° C (除非否则指定) 参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值

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