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tle 4206
半导体 组 9 1998-02-01
输入 范围
输入 电流
I
范围
– 1 – 1
µ
a0v <
V
范围
<
V
S
转变-止 电压 高
V
OFFH
– 100 0 100 mV 谈及 至
V
S
转变-止 电压 低
V
OFFL
300 400 500 mV 谈及 至 地
输入 cpb (电流 顶峰 blanking)
承担 电流
I
CPBCH
–6.5–
µ
一个
V
HYL
>
V
HYST
;
V
CPB
= 0 v
低 电压
V
CPBL
–20100mV
V
HYL
<
V
HYST 
<
V
HYH
高 电压 门槛
V
CPBH
55.76.5v
V
HYL
>
V
HYST
clamp 电压
V
CPBC
–6.2–v
V
HYL
>
V
HYST 
blanking 时间
t
CPB
–40–ms
C
CPB
= 47 nF
热的 关闭
热的 关闭 接合面
温度
T
jSD
150 175 200
°
C–
热的 转变-在 接合面
温度
T
jSO
120 – 170
°
C–
温度 hysteresis
∆
T
–30–K–
电的 特性
(内容’d)
8 v <
V
S
< 18 v;
I
out1-2
= 0 一个; – 40
°
c <
T
j
< 150
°
C
(除非 否则 指定)
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值

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tle 4206 半导体组 9 1998-02-01 输入范围输入电流 I 范围 – 1 – 1 µ a0v < V 范围 < V S 转变-止电压高 V OFFH – 100 0 100 mV 谈及至 V S 转变-止电压低 V OFFL 300 400 500 mV 谈及至地输入 cpb (电流顶峰 blanking) 承担电流 I CPBCH –6.5– µ 一个 V HYL > V HYST ; V CPB = 0 v 低电压 V CPBL –20100mV V HYL < V HYST < V HYH 高电压门槛 V CPBH 55.76.5v V HYL > V HYST clamp 电压 V CPBC –6.2–v V HYL > V HYST blanking 时间 t CPB –40–ms C CPB = 47 nF 热的关闭热的关闭接合面温度 T jSD 150 175 200 ° C– 热的转变-在接合面温度 T jSO 120 – 170 ° C– 温度 hysteresis ∆ T –30–K– 电的特性 (内容’d) 8 v < V S < 18 v; I out1-2 = 0 一个; – 40 ° c < T j < 150 ° C (除非否则指定) 参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值

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