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tle 4267
半导体 组 7 1998-11-01
特性
(内容’d)
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
重置 发生器
切换 门槛
V
rt
4.2 4.5 4.8 V –
重置 高 水平的 – 4.5 – – V
R
ext
=
∞
饱和 电压
V
R
–0.10.4v
R
R
= 4.7 k
Ω
1)
1) 这 重置 输出 是 低 在
V
Q
= 1 v 和
V
RT
Pullup
R
R
–30–k
Ω
–
饱和 电压
V
d,sat
– 50 100 mV
V
Q
<
V
RT
承担 电流
I
d
81525
µ
一个
V
D
= 1.5 v
延迟 切换 门槛
V
dt
2.6 3 3.3 V –
延迟
t
d
–20–ms
C
d
= 100 nf
切换 门槛
V
st
–0.43–v–
延迟
t
t
–2–
µ
s
C
d
= 100 nf
Inhibit
转变-在 电压
V
E2
–34vic 转变-在
转变-止 电压
V
E2
2––vic 转变-止
Pulldown
R
E2
50 100 200 k
Ω
–
Hysteresis
∆
V
E2
0.2 0.5 0.8 V –
输入 电流
I
E2
– 35 100
µ
一个
V
IP2
= 4 v
支持 电压
V
E6
30 35 40 % 涉及 至
V
Q
转变-止 电压
V
E6
60 70 80 % 涉及 至
V
Q
Pullup
R
E6
20 50 100 k
Ω
–
超（电）压 保护
转变-止 电压
V
i,ov
42 44 46 V –
转变-在 hysteresis
∆
V
i,ov
2–6V–

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tle 4267 半导体组 7 1998-11-01 特性 (内容’d) 参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值重置发生器切换门槛 V rt 4.2 4.5 4.8 V – 重置高水平的 – 4.5 – – V R ext = ∞ 饱和电压 V R –0.10.4v R R = 4.7 k Ω 1) 1) 这重置输出是低在 V Q = 1 v 和 V RT Pullup R R –30–k Ω – 饱和电压 V d,sat – 50 100 mV V Q < V RT 承担电流 I d 81525 µ 一个 V D = 1.5 v 延迟切换门槛 V dt 2.6 3 3.3 V – 延迟 t d –20–ms C d = 100 nf 切换门槛 V st –0.43–v– 延迟 t t –2– µ s C d = 100 nf Inhibit 转变-在电压 V E2 –34vic 转变-在转变-止电压 V E2 2––vic 转变-止 Pulldown R E2 50 100 200 k Ω – Hysteresis ∆ V E2 0.2 0.5 0.8 V – 输入电流 I E2 – 35 100 µ 一个 V IP2 = 4 v 支持电压 V E6 30 35 40 % 涉及至 V Q 转变-止电压 V E6 60 70 80 % 涉及至 V Q Pullup R E6 20 50 100 k Ω – 超（电）压保护转变-止电压 V i,ov 42 44 46 V – 转变-在 hysteresis ∆ V i,ov 2–6V–

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