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tle 5207
半导体 组 7 1998-02-01
特性
V
S
= 6 至 18 v;
T
j
= – 40 至 150
°
C
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
一般
安静的 电流
I
q
––5mA
I
L
= 0 一个
安静的 电流
I
q
20 40
µ
一个
T
j
= 25
°
C
V
I1
=
V
I2
= 0 v;
V
S
= 12 V
安静的 电流
I
q
80
µ
一个
V
I1
=
V
I2
= 0 v;
V
S
= 12 V
转变-在 延迟
t
d1
––20
µ
s 输入 至 输出
转变-止 延迟
t
d2
––20
µ
s 输入 至 输出
转变-在 时间
t
r
––20
µ
s
I
Q
= 2.5 一个; cf 图解
转变-止 时间
t
f
––20
µ
s
I
Q
= 2.5 一个; cf 图解
欠压
欠压
V
S
V
S
–
–
5.5
4.5
5.9
5.5
V
V
I
c 在
I
c 止
逻辑
控制 输入
h-输入 电压
l-输入 电压
V
IH
V
IL
2.8
–
–
–
–
1.2
V
V
–
–
hysteresis 的 输入
电压
∆
V
I
0.8 V –
h-输入 电流
l-输入 电流
I
I
I
I
0
– 2
25
0
50
2
µ
一个
µ
一个
V
I
=
V
IH
= 2.8 v
V
I
=
V
IL
diagnostics 输出
延迟 时间
l-输出 电压
泄漏 电流
t
d
V
FF
I
RD
20
–
–
40
–
–
75
0.4
10
µ
s
V
µ
一个
–
I
= 3 毫安
–
错误 发现
切换 门槛
Overcurrent
Overcurrent
V
EU
I
F1
I
F1
3.5
5
4.5
4.5
7
6
5.5
10
9
V
一个
一个
T
j
≤
25
°
C
25
°
C
<
T
j
≤
150
°
C

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tle 5207 半导体组 7 1998-02-01 特性 V S = 6 至 18 v; T j = – 40 至 150 ° C 参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值一般安静的电流 I q ––5mA I L = 0 一个安静的电流 I q 20 40 µ 一个 T j = 25 ° C V I1 = V I2 = 0 v; V S = 12 V 安静的电流 I q 80 µ 一个 V I1 = V I2 = 0 v; V S = 12 V 转变-在延迟 t d1 ––20 µ s 输入至输出转变-止延迟 t d2 ––20 µ s 输入至输出转变-在时间 t r ––20 µ s I Q = 2.5 一个; cf 图解转变-止时间 t f ––20 µ s I Q = 2.5 一个; cf 图解欠压欠压 V S V S – – 5.5 4.5 5.9 5.5 V V I c 在 I c 止逻辑控制输入 h-输入电压 l-输入电压 V IH V IL 2.8 – – – – 1.2 V V – – hysteresis 的输入电压 ∆ V I 0.8 V – h-输入电流 l-输入电流 I I I I 0 – 2 25 0 50 2 µ 一个 µ 一个 V I = V IH = 2.8 v V I = V IL diagnostics 输出延迟时间 l-输出电压泄漏电流 t d V FF I RD 20 – – 40 – – 75 0.4 10 µ s V µ 一个 – I = 3 毫安 – 错误发现切换门槛 Overcurrent Overcurrent V EU I F1 I F1 3.5 5 4.5 4.5 7 6 5.5 10 9 V 一个一个 T j ≤ 25 ° C 25 ° C < T j ≤ 150 ° C

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