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MBR3030PT–MBR3060PT
vishay lite–on 电源 半导体
rev. a2,24-六月-982 (4)
特性
(t
j
= 25
_
c 除非 否则 指定)
0 50 100 150
0
6
12
18
24
30
15383
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
i      – 平均 向前 电流 ( 一个 )
FAV
图示 1.  最大值 平均 向前 电流 vs.
包围的 温度
0.1
1.0
10
100
0 0.2 0.4
0.6 0.8
15384
i   – 向前 电流 ( 一个 )
F
V
F
– 向前 电压 ( v )
I
F
脉冲波 宽度 = 300
µ
s
T
j
= 25
°
C
2% 职责 循环
MBR3030PT–
MBR3045PT
MBR3050PT–
MBR3060PT
图示 2.  典型值 向前 电流 vs. 向前 电压
0
50
100
150
200
250
300
1
10
100
i      – 顶峰 向前 surge 电流 ( 一个 )
FSM
号码 的 循环 在 60 hz
15385
T
j
= 25
°
C
8.3 ms 单独的 half–sine–wave
电子元件工业联合会 方法
图示 3.  最大值 顶峰 向前 surge 电流 vs.
号码 的 循环
100
1000
4000
0.1 1.0 10 100
c   – 二极管 电容 ( pf )
D
V
R
– 反转 电压 ( v )
15386
T
j
= 25
°
C
f = 1 mhz
图示 4.  典型值 二极管 电容 vs. 反转 电压
0.01
0.1
1.0
10
0
20
40 60 80 100 120 140
100
百分比 的 评估 顶峰 反转 电压 (%)
i   – 反转 电流 ( 毫安 )
R
15387
T
j
= 75
°
C
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
图示 5.  典型值 反转 电流 vs. 百分比 的
评估 顶峰 反转 电压

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MBR3030PT–MBR3060PT vishay lite–on 电源半导体 rev. a2,24-六月-982 (4) 特性 (t j = 25 _ c 除非否则指定) 0 50 100 150 0 6 12 18 24 30 15383 T amb – 包围的温度 ( ° c ) i – 平均向前电流 ( 一个 ) FAV 图示 1. 最大值平均向前电流 vs. 包围的温度 0.1 1.0 10 100 0 0.2 0.4 0.6 0.8 15384 i – 向前电流 ( 一个 ) F V F – 向前电压 ( v ) I F 脉冲波宽度 = 300 µ s T j = 25 ° C 2% 职责循环 MBR3030PT– MBR3045PT MBR3050PT– MBR3060PT 图示 2. 典型值向前电流 vs. 向前电压 0 50 100 150 200 250 300 1 10 100 i – 顶峰向前 surge 电流 ( 一个 ) FSM 号码的循环在 60 hz 15385 T j = 25 ° C 8.3 ms 单独的 half–sine–wave 电子元件工业联合会方法图示 3. 最大值顶峰向前 surge 电流 vs. 号码的循环 100 1000 4000 0.1 1.0 10 100 c – 二极管电容 ( pf ) D V R – 反转电压 ( v ) 15386 T j = 25 ° C f = 1 mhz 图示 4. 典型值二极管电容 vs. 反转电压 0.01 0.1 1.0 10 0 20 40 60 80 100 120 140 100 百分比的评估顶峰反转电压 (%) i – 反转电流 ( 毫安 ) R 15387 T j = 75 ° C T j = 25 ° C T j = 125 ° C 图示 5. 典型值反转电流 vs. 百分比的评估顶峰反转电压

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