MTD2N50E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 0.8 1.6 2.4 3.2
0
1
3
5
8
6
4
2
0.4 1.2 2.0 2.8 3.6 4.0
–50
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
–25 0 25 50 75 100 125 150
0 4 8 12 16 20
3
4
2
2 6 10 14 18
1
5 v
6 v
0
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 v
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
25
°
C
– 55
°
C
2.0 3.0 4.0 5.0 6.02.5 3.5 4.5 5.5 6.5 7.0
2.5
3.5
4.0
2.0
3.0
1.0
0
25
°
C
100
°
C
V
GS
= 10 v
15 v
2.6
3.4
3.8
4.2
3.0
0 0.8 1.6 2.4 3.20.4 1.2 2.0 2.8 3.6 4.0
0 200 400
1
100
1000
100 300 500
0.5
7
10
45035025015050
25
°
C
100
°
C
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 10 v
1.5
V
GS
= 10 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 1 一个
T
J
= 100
°
C
T
J
= –55
°
C
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