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资料编号:1067863
 
资料名称:FSGJ264R
 
文件大小: 81228K
   
说明
 
介绍:
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
5
图示 9. normalized 最大 瞬时 热的 回馈
图示 10. unclamped inductive 切换
效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
normalized 热的 回馈 (z
qJC
)
t, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
注释:
职责 因素: d = t
1
/t
2
顶峰 t
J
= p
DM
x z
θ
JC
+ t
C
P
DM
t
1
t
2
300
100
10
1
0.01
0.1 1
t
AV
, 时间 在 avalanche (ms)
10
0.001
I
, avalanche 电流 (一个)
t
AV
= (l/r) ln [(i
*r) / (1.3 评估 bv
DSS
- v
DD
) + 1]
t
AV
= (l) (i
) / (1.3 评估 bv
DSS
- v
DD
)
如果 r = 0
开始 t
J
= 150
o
C
开始 t
J
= 25
o
C
如果 r
0
测试 电路 和 波形
图示 11. unclamped 活力 测试 电路 图示 12. unclamped 活力 波形
t
P
V
GS
20V
L
+
-
V
DS
V
DD
DUT
VARYt
P
至 获得
必需的 顶峰 i
0V
50
50
50v-150v
I
+
-
电子的 转变 opens
当 i
是 reached
电流
变压器
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
t
AV
FSGJ264R
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