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MC33351A
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7
图示 7. 释放 电流 (高 一侧) 门槛
相比 温度 (r11 = 1.5 mohms)
图示 8. 释放 电流 (高 一侧)
相比 阻抗
图示 9. v
CC
相比 i
EE
(非 加载) 图示 10. v
CC
相比 i
EE
(sleep–mode)
–40
210
温度 (
°
c)
205
195
190
185
180
–20 0 20 40 60 80
释放 电流 (高 一侧)
200
0.7
350
阻抗 (m
W
)
270
230
210
190
170
150
0.9 1.1 1.3 1.5 2.1
释放 电流 门槛 (mv)
250
1.7 1.9
330
290
310
9.5
4.0
V
CC
(v) (3 x v
cell
)
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
10 10.5 11 11.5 12
I
EE
(一个)
7.0
V
CC
(v) = (3 x v
cell
)
4.6
4.2
3.8
3.4
3.0
7.5 8.0 8.5 9.0
I
EE
(na)
5.0
门槛 (millivolts)
4.2
µ

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MC33351A http://onsemi.com 7 图示 7. 释放电流 (高一侧) 门槛相比温度 (r11 = 1.5 mohms) 图示 8. 释放电流 (高一侧) 相比阻抗图示 9. v CC 相比 i EE (非加载) 图示 10. v CC 相比 i EE (sleep–mode) –40 210 温度 ( ° c) 205 195 190 185 180 –20 0 20 40 60 80 释放电流 (高一侧) 200 0.7 350 阻抗 (m W ) 270 230 210 190 170 150 0.9 1.1 1.3 1.5 2.1 释放电流门槛 (mv) 250 1.7 1.9 330 290 310 9.5 4.0 V CC (v) (3 x v cell ) 3.8 3.6 3.4 3.2 3.0 10 10.5 11 11.5 12 I EE (一个) 7.0 V CC (v) = (3 x v cell ) 4.6 4.2 3.8 3.4 3.0 7.5 8.0 8.5 9.0 I EE (na) 5.0 门槛 (millivolts) 4.2 µ

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