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资料编号:107212
 
资料名称:ISL9N308AP3
 
文件大小: 140.86K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 8m з
 
 


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©2002 仙童 半导体 公司 rev. b, january 2002
isl9n308ap3/isl9n308as3st
图示 11. 电容 vs 流 至 源
电压
图示 12. 门 承担 波形 为 常量
门 电流
图示 13. 切换 时间 vs 门 阻抗 图示 14. 切换 时间 vs 门 阻抗
典型 典型的
(持续)
100
1000
0.1 1 10
30
4000
c, 电容 (pf)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
=
C
GS
+ c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0 1020304050
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
Q
g
, 门 承担 (nc)
I
D
= 14a
波形 在
descending 顺序:
I
D
= 48a
V
DD
= 15v
0
50
100
150
200
250
0 1020304050
R
GS
, 门 至 源 阻抗 (
)
V
GS
= 4.5v, v
DD
= 15v, i
D
= 15a
t
d(止)
t
r
t
d(在)
t
f
0
50
100
150
200
250
300
350
0 1020304050
R
GS
, 门 至 源 阻抗 (
)
t
d(止)
t
r
t
f
V
GS
= 10v, v
DD
= 15v, i
D
= 15a
t
d(在)
测试 电路 和 波形
图示 15. unclamped 活力 测试 电路 图示 16. unclamped 活力 波形
t
P
V
GS
0.01
L
I
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
相异t
P
获得
必需的 顶峰 i
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
t
AV
0
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