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tps2811, tps2812, tps2813, tps2814, tps2815
双 高-速 场效应晶体管 驱动器
slvs132d – 十一月 1995 – 修订 十一月 1997
26
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
应用 信息
t – 时间
V
D
(5 v/div, 20 ns/div)
V
G
(2 v/div, 20 ns/div)
T
一个
= 25
°
C
V
I
= 12 v
V
O
= 3.3 v 在 5a
图示 49. q1 流 电压 vs 门 电压,
在 转变 转变-在
图示 50. q1 流 电压 vs 门 电压,
在 转变 转变-止
t – 时间
V
D
(5 v/div, 20 ns/div)
V
G
(2 v/div, 20 ns/div)
T
一个
= 25
°
C
V
I
= 12 v
V
O
= 3.3 v 在 5a
t – 时间
V
GS
(2 v/div, 0.5
µ
s/div)
T
一个
= 25
°
C
V
I
= 12 v
V
O
= 3.3 v 在 5a
V
D
(5 v/div, 0.5
µ
s/div)
图示 51. q1 流 电压 vs q2
门-源 电压
t – 时间
V
GS
(2 v/div, 20 ns/div)
T
一个
= 25
°
C
V
I
= 12 v
V
O
= 3.3 v 在 5a
V
D
(5 v/div, 20 ns/div)
图示 52. q1 流 电压 vs q2
门-源 电压

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tps2811, tps2812, tps2813, tps2814, tps2815 双高-速场效应晶体管驱动器 slvs132d – 十一月 1995 – 修订十一月 1997 26 邮递办公室盒 655303 • 达拉斯市, 德州 75265 应用信息 t – 时间 V D (5 v/div, 20 ns/div) V G (2 v/div, 20 ns/div) T 一个 = 25 ° C V I = 12 v V O = 3.3 v 在 5a 图示 49. q1 流电压 vs 门电压, 在转变转变-在图示 50. q1 流电压 vs 门电压, 在转变转变-止 t – 时间 V D (5 v/div, 20 ns/div) V G (2 v/div, 20 ns/div) T 一个 = 25 ° C V I = 12 v V O = 3.3 v 在 5a t – 时间 V GS (2 v/div, 0.5 µ s/div) T 一个 = 25 ° C V I = 12 v V O = 3.3 v 在 5a V D (5 v/div, 0.5 µ s/div) 图示 51. q1 流电压 vs q2 门-源电压 t – 时间 V GS (2 v/div, 20 ns/div) T 一个 = 25 ° C V I = 12 v V O = 3.3 v 在 5a V D (5 v/div, 20 ns/div) 图示 52. q1 流电压 vs q2 门-源电压

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