1999 微芯 技术 公司 ds21314c-页 3
mcp601/602/603/604
交流 特性
规格 为 mcp603 碎片 选择特性
温度 规格
除非 否则 表明, 所有 限制 是 指定 为 v
DD
= +2.7v 至 +5.5v, v
SS
= 地, t
一个
= 25°c, v
CM
= v
DD
/2, r
L
= 100k
Ω
至
V
DD
/2, 和 v
输出
~ v
DD
/2
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
增益 带宽 产品 GBWP 2.8 MHz V
DD
= 5v
阶段 余裕
Θ
m
50 degrees C
L
= 50pf, v
DD
= 5v
回转 比率 SR 2.3 v/
µ
s g = +1v/v, v
DD
= 5v
设置 时间 至 0.01% 4.5
µ
sfor
∆
V
输出
= 3.8v
步伐
,
C
L
= 50pf, v
DD
= 5v,
g = +1v/v
噪音
输入 电压 噪音 e
n
7
µ
V
p-p
f = 0.1hz 至 10hz
输入 电压 噪音 密度 e
n
29 nv/ f = 1khz
输入 电流 噪音 密度 i
n
0.6 fa/ f = 1khz
除非 否则 表明, 所有 限制 是 指定 为 v
DD
= +2.7v 至 +5.5v, v
SS
= 地, t
一个
= 25°c, v
CM
= v
DD
/2, r
L
= 100k
Ω
至
V
DD
/2, 和 v
输出
~ v
DD
/2
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
CS
低 规格
CS
逻辑 门槛, 低 V
IL
V
SS
0.42 v
DD
0.2 v
DD
V 为 全部 v
DD
范围
CS
输入 电流, 低 I
CSL
-1.0
µ
ACS= 0.2v
DD
放大器 输出 泄漏, cs高 1 nA
CS
高 规格
CS
逻辑 门槛, 高 V
IH
0.8 v
DD
0.51 v
DD
V
DD
V 为 全部 v
DD
范围
CS
输入 高, 关闭 cs管脚
电流
I
CSH
0.7 2.0
µ
ACS= v
DD
CS输入 高, 关闭 地
电流
I
Q
0.7 2.0
µ
ACS= v
DD
动态 规格
CS
低 至 放大器 输出 高
Tur n -o n T i m e
t
在
3.1 10
µ
sCS低
≤
0.2v
DD
CS高 至 放大器 输出 高 z t
止
100 ns CS高
≥
0.8v
DD
, 非
加载
CS
门槛 hysteresis 0.3 V
Hz
Hz
除非 否则 表明, 所有 限制 是 指定 为 v
DD
= +2.7v 至 +5.5v, v
SS
= 地
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
温度 范围
指定 温度 范围 T
一个
-40 +85 °C
运行 温度 范围 T
一个
-40 +85 °C
存储 温度 范围 T
一个
-65 +150 °C
热的 包装 阻抗
热的 阻抗, 8l-pdip
θ
JA
85 °c/w
热的 阻抗, 8l-soic
θ
JA
163 °c/w
热的 阻抗, 8l-tssop
θ
JA
124 °c/w
热的 阻抗, 14l-pdip
θ
JA
70 °c/w
热的 阻抗, 14l-soic
θ
JA
120 °c/w
热的 阻抗, 14l-tssop
θ
JA
100 °c/w
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