HB56HW164DB Series,_集成电路资料查询网

hb56hw164db 序列, hb56hw165db 序列
15
edo 页 模式 循环
60 ns 70 ns
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
edo 页 模式 循环 时间 t
HPC
25 — 30 — ns 20
edo 页 模式
RAS
脉冲波 宽度 t
RASP
— 100000 — 100000 ns 16
进入 时间 从
CAS
precharge t
CPA
— 35 — 40 ns 9, 17
RAS
支撑 时间 从
CAS
precharge t
CPRH
35 — 40 — ns
输出 数据 孔 时间 从
CAS
低 t
DOH
3 — 3 — ns 9, 17
CAS
支撑 时间 refferred
OE
t
COL
10 — 13 — ns
CAS
至
OE
建制 时间 t
COP
5—5—ns
读 command 支撑 时间 从
CAS
precharge
t
RCHC
35 — 40 — ns
edo 页 模式 读-modify-写 循环
60 ns 70 ns
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
edo 页 模式 读-modify-写 循环
时间
t
HPRWC
68 — 79 — ns
我们
延迟 时间 从
CAS
precharge t
CPW
54 — 62 — ns 14
自 refresh 模式 (l-版本)
60 ns 70 ns
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
RAS
脉冲波 宽度 (自 refresh) t
RASS
100 — 100 —
µ
s
RAS
precharge 时间 (自 refresh) t
RPS
110 — 130 — ns
CAS
支撑 时间 (自 refresh) t
CHS
–50 — –50 — ns

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hb56hw164db 序列, hb56hw165db 序列 15 edo 页模式循环 60 ns 70 ns 参数标识最小值最大值最小值最大值单位注释 edo 页模式循环时间 t HPC 25 — 30 — ns 20 edo 页模式 RAS 脉冲波宽度 t RASP — 100000 — 100000 ns 16 进入时间从 CAS precharge t CPA — 35 — 40 ns 9, 17 RAS 支撑时间从 CAS precharge t CPRH 35 — 40 — ns 输出数据孔时间从 CAS 低 t DOH 3 — 3 — ns 9, 17 CAS 支撑时间 refferred OE t COL 10 — 13 — ns CAS 至 OE 建制时间 t COP 5—5—ns 读 command 支撑时间从 CAS precharge t RCHC 35 — 40 — ns edo 页模式读-modify-写循环 60 ns 70 ns 参数标识最小值最大值最小值最大值单位注释 edo 页模式读-modify-写循环时间 t HPRWC 68 — 79 — ns 我们延迟时间从 CAS precharge t CPW 54 — 62 — ns 14 自 refresh 模式 (l-版本) 60 ns 70 ns 参数标识最小值最大值最小值最大值单位注释 RAS 脉冲波宽度 (自 refresh) t RASS 100 — 100 — µ s RAS precharge 时间 (自 refresh) t RPS 110 — 130 — ns CAS 支撑时间 (自 refresh) t CHS –50 — –50 — ns

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