hb56hw164db 序列, hb56hw165db 序列
17
23. 请 做 不 使用 t
RASS
定时, 10
µ
s
≤
t
RASS
≤
100
µ
s. 在 这个 时期, 这 设备 是 在
转变 状态 从 正常的 运作 模式 至 自 refresh 模式. 如果 t
RASS
≥
100
µ
s, 然后
RAS
precharge 时间 应当 使用 t
RPS
instead 的 t
RP
.
24. 如果 你 使用 distributed cbr refresh 模式 和 15.6
µ
s 间隔 在 正常的 读/写 循环, cbr
refresh 应当 是 executed 在里面 15.6
µ
s 立即 之后 exiting 从 和 在之前 进去 在
自 refresh 模式.
25. 如果 你 使用
RAS
仅有的 refresh 或者 cbr burst refresh 模式 在 正常的 读/写 循环, 4096 或者 1024
循环 (4096 循环: hb56hw164db 序列, 1024 循环: hb56hw165db series) 的
distributed cbr refresh 和 15.6
µ
s 间隔 应当 是 executed 在里面 64 或者 16 ms (64 ms:
hb56hw164db 序列, 16 ms: hb56hw165db 序列) 立即 之后 exiting 从 和
在之前 进去 在 这 自 refresh 模式.
26. repetitive 自 refresh 模式 没有 refreshing 所有 记忆 是 不 允许. once 你 exit 从
自 fresh 模式, 所有 记忆 cells 需要 至 是 refreshed 在之前 re-进去 这 自 refresh 模式
又一次.
27. xxx: h 或者 l (h: v
IH
(最小值)
≤
V
在
≤
V
IH
(最大值), l: v
IL
(最小值)
≤
V
在
≤
V
IL
(最大值))
///////: invalid dout
当 这 地址, 时钟 和 输入 管脚 是 不 描述 在 定时 波形, 它们的 管脚 必须
是 应用 v
IH
或者 v
IL
.
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