hm538253b/hm538254b 序列
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非 重置 cbr 循环 (cbrn):
这个 循环 变为 非 重置 cbr 循环 (cbrn) 用 驱动
CAS
低,
我们
高 和 dsf1 高 在 这 下落 边缘 的
RAS
. 这 cbrn 能 仅有的 execute 这 refresh 运作.
sam 端口 运作
串行 读 循环
sam 端口 是 在 读 模式 当 这 previous 数据 转移 循环 是 一个 读 转移 循环. 进入 是
同步 和 sc rising, 和 sam 数据 是 输出 从 si/o. 当
SE
是 设置 高, si/o 变为 高
阻抗, 和 这 内部的 pointer 是 incremented 用 这 sc rising. 之后 表明 这 last 地址 (地址
511), 这 内部的 pointer indicates 地址 0 在 这 next 进入.
串行 写 循环
如果 这 previous 数据 转移 循环 是 一个 masked 写 转移 循环, sam 端口 变得 在 写 模式. 在 这个
循环, si/o 数据 是 fetched 在 这 数据 寄存器 在 这 sc rising 边缘 像 在 这 串行 读 循环. 如果
SE
是
高, si/o 数据 isn’t fetched 在 这 数据 寄存器. 这 内部的 pointer 是 incremented 用 这 sc rising, 所以
SE
高 能 是 使用 作 掩饰 数据 为 sam. 之后 表明 这 last 地址 (地址 511), 这 内部的 pointer
indicates 地址 0 在 这 next 进入.
Refresh
内存 refresh
内存, 这个 是 composed 的 动态 电路, 需要 refresh 循环 至 retain 数据. refresh 是 executed 用
accessing 所有 512 行 地址 在里面 8 ms. 那里 是 三 refresh 循环: (1)
RAS
-仅有的 refresh 循环, (2)
CAS
-在之前-
r 作
(cbrn, cbrs, 和 cbrr) refresh 循环, 和 (3) hidden refresh cycle. 这 循环 这个
活动
RAS
, 此类 作 读/写 循环 或者 转移 循环, 能 也 refresh 这 行 地址. 因此, 非
refresh 循环 是 必需的 当 所有 行 地址 是 accessed 在里面 8 ms.
ras-仅有的 refresh 循环:
r 作
-仅有的 refresh 循环 是 executed 用 activating 仅有的 这
RAS
循环 和
c 作
fixed 高 之后 inputting 这 行 地址 (refresh 地址) 从 外部 电路. 至 distinguish 这个 循环
从 一个 数据 转移 循环,
DT
/
OE
必须 是 高 在 这 下落 边缘 的
RAS
.
cbr refresh 循环:
cbr refresh 循环 (cbrn, cbrs 和 cbrr) 是 设置 用 activating
CAS
在之前
RAS
.
在 这个 循环, 这 refresh 地址 需要 不 是 输入 通过 外部 电路 因为 它 是 输入 通过 一个
内部的 refresh 计数器. 在 这个 循环, 输出 是 高 阻抗 和 电源 消耗 是 低 因为
CAS
电路 是 不 运行.
hidden refresh 循环:
hidden refresh 循环 executes cbr refresh 和 这 数据 输出 用 reactivating
RAS
当
DT
/
OE
和
CAS
保持 低 在 正常的 内存 读 循环.
sam refresh
sam 部分 (数据 寄存器, 变换 resister 和 选择), 有组织的 作 全部地 静态的 电路系统, 需要 非 refresh.
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