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资料编号:1077719
资料名称:
4am14
文件大小: 38611K
说明
:
介绍
:
Silicon N Channel/P Channel Complementary Power MOS FET Array
: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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1
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75
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125
150
包围的 温度 ta (°c)
频道 消耗 pch (w)
4 设备 运作
情况 : 频道 消耗 的
各自 消逝 是 完全同样的
3 设备 运作
2 设备 运作
1 设备 运作
最大 频道 消耗 曲线
48
32
16
0
25
50
75
100
125
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情况 温度 ta (°c)
频道 消耗 pch (w)
情况 : 频道 消耗 的
各自 消逝 是 完全同样的
1 设备 运作
4 设备 运作
3 设备 运作
2 设备 运作
最大 频道 消耗 曲线
50
30
10
3
1
0.3
0.1
0.05
0.1
0.3
1
3
10
30
100
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
1 ms
pw = 10 ms (1 shot)
直流 运作 (tc = 25°c)
ta = 25°c
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r (在)
DS
10 s
µ
100 s
µ
最大 safe 运作 范围
(n-频道)
– 50
– 30
– 10
– 3
– 1
– 0.3
– 0.1
– 0.05
– 0.1
– 0.3
– 1
– 3
– 10
– 30
– 100
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
1 ms
pw = 10 ms (1 shot)
直流 运作 (tc = 25°c)
ta = 25°c
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r (在)
DS
10 s
µ
100 s
µ
最大 safe 运作 范围
(p-频道)
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