hm51(s)4170d 序列, hm51(s)4270d 序列
9
直流 特性
(ta = 0 至 +70
°
c, v
CC
= 5 v
±
10%, v
SS
= 0 v)*
5
(hm51(s)4170d 序列)
hm514170d, hm51s4170d
-6 -7 -8
参数
标识
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 测试 情况
运行 current*
1,
*
2
I
CC1
— 135 — 120 — 105 毫安
RAS
,
CAS
cycling, t
RC
= 最小值
备用物品 电流 I
CC2
—2 —2 —2 毫安
ttl 接口,
RAS
,
CAS
= v
IH
dout = 高-z
— 1 — 1 — 1 毫安 cmos 接口
RAS
,
CAS
,
uwe,
LWE
,
OE
≥
V
CC
– 0.2 v
dout = 高-z
备用物品 电流
(l-版本)
I
CC2
— 200 — 200 — 200
µ
一个 cmos 接口
RAS
,
CAS
,
OE
,
UWE
,
LWE
≥
V
CC
– 0.2 v
dout = 高-z
RAS
-仅有的 refresh current*
2
I
CC3
— 135 — 120 — 100 毫安 t
RC
= 最小值
CAS
-在之前-
RAS
refresh
current*
2
I
CC6
— 135 — 120 — 100 毫安 t
RC
= 最小值
快 页 模式 current*
1,
*
3
I
CC7
— 150 — 120 — 100 毫安 t
PC
= 最小值
电池 backup current*
4
(备用物品 和 cbr
refresh) (l-版本)
I
CC10
— 300 — 300 — 300
µ
一个 备用物品: cmos 接口
dout = 高-z
cbr refresh: t
RC
= 125
µ
s
t
RAS
≤
1
µ
s,
CAS
= v
IL
LWE
,
UWE
,
OE
= v
IH
自-refresh 模式 电流
(hm51s4170d)
I
CC11
— 1 — 1 — 1 毫安 cmos 接口
RAS
,
CAS
≤
0.2 v,
dout = 高-z
自-refresh 模式 电流
(hm51s4170dl)
I
CC11
— 200 — 200 — 200
µ
一个 cmos 接口
RAS
,
CAS
≤
0.2 v
dout = 高-z
输入 泄漏 电流 I
LI
–10 10 –10 10 –10 10
µ
一个 0 v
≤
Vin
≤
6.5 v
输出 泄漏 电流 I
LO
–10 10 –10 10 –10 10
µ
一个 0 v
≤
Vout
≤
6.5 v
dout = 使不能运转
输出 高 电压 V
OH
2.4 V
CC
2.4 V
CC
2.4 V
CC
V 高 iout = –5.0 毫安
输出 低 电压 V
OL
0 0.4 0 0.4 0 0.4 V 低 iout = 4.2 毫安
注释: 1. I
CC
取决于 在 输出 加载 情况 当 这 设备 是 选择. i
CC
最大值 是 指定 在 这 输出
打开 情况.
2. 地址 能 是 changed once 或者 较少 当
RAS
= v
IL
.
3. 地址 能 是 changed once 或者 较少 当
CAS
= v
IH
.
4. V
IH
≥
V
CC
– 0.2 v, 0
≤
V
IL
≤
0.2 v, 地址 能 是 changed once 或者 较少 当
RAS
= v
IL
.
5. 所有 这 v
CC
管脚 将要 是 有提供的 和 这 一样 电压. 和 所有 这 v
SS
管脚 将要 是 有提供的 和
这 一样 电压.
: 点此下载
