30 Am29LV160D
直流 特性
cmos 兼容
注释:
1. 这 i
CC
电流 列表 是 典型地 较少 比 2 毫安/mhz, 和 oe# 在 v
IH
. 典型 v
CC
是 3.0 v.
2. 最大 i
CC
规格 是 测试 和 v
CC
= v
CC
最大值
3. I
CC
起作用的 当 embedded 擦掉 或者 embedded 程序 是 在 progress.
4. 在 扩展 温度 范围 (>+85
°
c), 典型 电流 是 5 µa 和 最大 电流 是 10 µa.
5. 自动 睡眠 模式 使能 这 低 电源 模式 当 地址 仍然是 稳固的 为 t
ACC
+ 30 ns. 典型 睡眠 模式
电流 是 200 na.
6. 不 100% 测试.
参数 描述 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
LI
输入 加载 电流
V
在
= v
SS
至 v
CC
,
V
CC
= v
CC
最大值
±
1.0
µA
I
LIT
a9 输入 加载 电流 V
CC
= v
cc 最大值
; a9 = 12.5 v 35 µA
I
LO
输出 泄漏 电流
V
输出
= v
SS
至 v
CC
,
V
CC
= v
cc 最大值
±
1.0 µA
I
CC1
V
CC
起作用的 读 电流
(注释 1, 2)
ce# = v
il,
OE#
=
V
ih,
字节 模式
5 mhz 9 16
毫安
1 mhz 2 4
ce# = v
il,
OE#
=
V
ih,
文字 模式
5 mhz 9 16
1 mhz 2 4
I
CC2
V
CC
起作用的 写 电流
(注释 2, 3, 5)
ce# = v
il,
oe# = v
IH
20 30 毫安
I
CC3
V
CC
备用物品 电流 (注释 2, 4) ce#, reset# = v
CC
±
0.3 v 0.2 5 µA
I
CC4
V
CC
备用物品 电流 在 重置
(注释 2, 4)
reset# = v
SS
±
0.3 v 0.2 5 µA
I
CC5
自动 睡眠 模式
(注释 2, 4, 6)
V
IH
= v
CC
±
0.3 v;
V
IL
= v
SS
±
0.3 v
0.2 5 µA
V
IL
输入 低 电压 –0.5 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 0.7 x v
CC
V
CC
+ 0.3 V
V
ID
电压 为 autoselect 和
temporary sector unprotect
V
CC
= 3.3 v 11.5 12.5 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 4.0 毫安, v
CC
= v
cc 最小值
0.45 V
V
OH1
输出 高 电压
I
OH
= -2.0 毫安, v
CC
= v
cc 最小值
0.85 x v
CC
V
V
OH2
I
OH
= -100 µa, v
CC
= v
cc 最小值
V
CC
–0.4
V
LKO
低 v
CC
锁-输出 电压 (便条 4) 2.3 2.5 V
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