CS5421
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在哪里:
P
门(l)
= 更小的 场效应晶体管 门 驱动器 (ic) losses;
Q
门(l)
= 总的 更小的 场效应晶体管 门 承担 在 v
CC
;
f
SW
= 切换 频率;
这 接合面 温度 的 这 控制 ic 是 primarily 一个
函数 的这 pcb 布局, 自从 大多数 的 这 热温 是 移除
通过 这 查出 连接 至 这 管脚 的 这 ic.
adding 外部 斜度 补偿
today’s 电压 regulators 是 预期的 至 满足 非常
stringent加载 瞬时 (所需的)东西. 一个 的 这 关键 factors
在 实现 tight 动态 电压 规章制度 是 低 等效串联电阻.
低 等效串联电阻 在 这 调整器 输出 结果 在 低 输出
电压 波纹. 这 consequence 是, 不管怎样, 那 非常 little
电压 ramp exists 在 这 控制 ic 反馈 管脚 (v
FB
),
结果 在 增加 调整器 敏锐的 至 噪音 和 这
潜在的 为 循环 instability. 在 产品 在哪里 这
内部的斜度 补偿 是 insufficient, 这 效能
的 这 cs5421–based 调整器 能 是 改进 通过 这
增加 的 一个 fixed 数量 的 外部 斜度 补偿
在 这 输出 的 这 pwm 错误 放大器 (这 竞赛 管脚)
在 这 调整器 off–time. referring 至 图示 7, 这
数量 的电压 ramp 在 这 竞赛 管脚 是 依赖 在 这
门 电压 的 这 更小的 (同步的) 场效应晶体管 和 这 值
的 电阻 分隔物 formed 用 r1and r2.
V
SLOPECOMP
V
门(l)
R2
R1
R2
(1.0
e
–t
)
在哪里:
V
SLOPECOMP
= 数量 的 斜度 增加;
V
门(l)
= 更小的 场效应晶体管 门 电压;
r1, r2 = 电压 分隔物 电阻器;
t = t
在
或者 t
止
(转变 off–time);
τ
= rc 常量 决定 用 c1 和 这 并行的
结合体 的 r1, r2 neglecting 这 低 驱动器
输出 阻抗.
这 artificial 电压 ramp 创建 用 这 斜度
补偿 scheme 结果 在 改进 控制 循环
稳固 提供 那 这 rc 过滤 时间 常量 是 小
比 这 off–time 循环 持续时间 (时间 在 这个 这
更小的场效应晶体管 是 组织). 它 是 重要的 那 这 序列
结合体 的 r1 和 r2 是 高 足够的 在 阻抗 至
避免 加载 这 门(l) 管脚.
图示 8. 小 rc 过滤 提供 这 恰当的
电压 ramp 在 这 beginning 的 各自
on–time 循环
至 同步的
场效应晶体管
C1
R2
R1
CS5421
门(l)
竞赛
C
竞赛
热的 管理
热的 仔细考虑 为 电源 场效应晶体管
作 这 塑料 包装 的 一个 半导体 将
deteriorate 在 高 温度, 它 是 需要 至 限制 这
接合面温度 的 这 控制 ic 和 电源 mosfets
至 维持 高 可靠性. 大多数 半导体 设备
有 一个 最大 接合面 温度 的 150
°
c, 和
manufacturers推荐 运行 它们的 产品 在 更小的
温度 如果 在 所有 可能.
电源 消耗 在 一个 半导体 设备 结果 在
这 一代 的 热温 在 这 管脚 汇合处 在 这 表面 的
这 碎片. 这个 热温 是 transferred 至 这 表面 的 这 ic
包装, 但是 一个 热的 gradient exists 预定的 至 这 resistive
properties 的 这 包装 塑造 复合. 这
巨大 的 这 热的 gradient 是 表示 在
生产者’s 数据 薄板 作
Θ
JA
, 或者 junction–to–air
热的阻抗. 这 on–chip 接合面 温度 能 是
计算 如果
Θ
JA
, 这 空气 温度 在 这 表面 的 这 ic,
和 这 on–chip 电源 消耗 是 知道.
T
J
T
一个
(p
D
ja)
在哪里:
tj = ic 或者 场效应晶体管 接合面 温度 (在 degrees c);
ta = 包围的 温度 (在 degrees c);
pd = 电源 dissipated 用 部分 在 question (在 watts);
Θ
JA
= junction–to–ambient 热的 阻抗 (在 degrees
c 每 watt).
这 值 为
Θ
JA
能 是 建立 在 这 绝对 最大
比率 表格 在 页 2 的 这个 数据手册. 便条 那 这个
值 是 不同的 为 每 包装 样式 和 每
生产者.
这 接合面 温度 应当 是 计算 为 所有
半导体设备 作 一个 部分 的 这 设计 阶段 在 顺序
至 确保 那 这 设备 是 运作 在下 这
生产者’s 最大 接合面 温度
规格. 如果 任何 组件’s 温度 超过 这
生产者’s 最大 温度, 一些 表格 的
散热器 将 是 必需的.
heatsinking 改进 这 热的 效能 的 任何
组件.adding 一个 散热器 将 减少 这 巨大 的
Θ
JA
用 供应 一个 大 表面 范围 为 这 转移 的 热温
从 这 组件 至 这 surrounding 空气. 典型
heatsinking 技巧 包含 这 使用 的 商业的
heatsinks为 设备 在 to–220 包装, 或者 打印 电路
板 技巧 此类 作 热的 偏差 和 大 铜 foil
areas 为 表面 挂载 包装.
当 choosing 一个 散热器, 它 是 重要的 至 realize 那
Θ
JA
是 包括 的 一些 组件:
JA
JC
CS
SA
在哪里:
Θ
JC
= 这junction–to–case 热的 阻抗 (在 degrees
c 每 watt);
Θ
CS
= 这 case–to–sink 热的 阻抗 (在 degrees c
每 watt);
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