MC14578
3motorola 传感器 设备 数据
电的 特性
(电压 关联 至 v
SS
, r
偏差
= 3.9 m
Ω
至 v
DD
, t
一个
= –30
°
至 70
°
c 除非 否则 表明)
标识 参数 测试 情况
V
DD
V
有保证的
限制
单位
V
DD
电源 供应 电压 范围 — 3.5 至 14.0 V
V
IL
最大 low–level 输入 电压, mosfets
连线的 作 反相器; i.e., 在 一个 系 至 在 b, 输出
一个 至 输出 b, 输出 c1 至 输出 c2.
V
输出
= 9.0 v, |i
输出
|
t
1
µ
一个 10.0 2.0 V
V
IH
最小 high–level 输入 电压, mosfets
连线的 作 反相器; i.e., 在 一个 系 至 在 b, 输出
一个 至 输出 b, 输出 c1 至 输出 c2.
V
输出
= 1.0 v, |i
输出
|
t
1
µ
一个 10.0 8.0 V
V
IO
比较器 输入 补偿 电压
T
一个
= 25
°
c, 在 一般 模式
范围
10.0
"
50
mV
T
一个
= 0
°
至 50
°
c, 在 一般
模式 范围
3.5 至
14.0
"
75
V
CM
比较器 一般 模式 电压 范围 3.5 至
14.0
0.7 至
V
DD
*
1.5
V
V
OL
最大 low–level 比较器 输出 电压 在 +: v
在
= v
SS
, 在
*
: v
在
= v
DD
,
I
输出
= 30
µ
一个
10.0 0.5 V
V
OH
最小 high–level 比较器 输出 电压 在 +: v
在
= v
DD
, 在
*
: v
在
= v
SS
,
I
输出
=
*
30
µ
一个
10.0 9.5 V
V
OO
缓存区 放大 输出 补偿 电压 R
加载
= 10 m
Ω
至 v
DD
或者 v
SS
, 在
一般 模式 范围
—
"
100 mV
V
OL
最大 low–level 输出 电压, mosfets
连线的 作 反相器; i e 在 一个 系 至 在 B 输出
输出 c1, 输出 c2: i
输出
= 1.1 毫安 10.0 0.5 V
连线的 作 反相器 i.e., 在 一个 系 至 在 b, 输出
一个 至 输出 b, 输出 c1 至 输出 c2.
输出 一个, 输出 b: i
输出
= 270
µ
一个 10.0 0.5 V
V
OH
最小 high–level 输出 电压, mosfets
连线的 作 反相器; i e 在 一个 系 至 在 B 输出
输出 c1, 输出 c2: i
输出
=
*
1.1 毫安 10.0 9.5 V
连线的 作 反相器 i.e., 在 一个 系 至 在 b, 输出
一个 至 输出 b, 输出 c1 至 输出 c2.
输出 一个, 输出 b: i
输出
= 270
µ
一个 10.0 9.5 V
I
在
最大 输入 泄漏 在 + (插件 仅有的)
电流
T
一个
= 25
°
c, 40% r.h.,
V
在
= v
SS
或者 v
DD
10.0
"
1.0
pA
在 + (插件 仅有的) T
一个
= 50
°
c,
V
在
= v
SS
或者 v
DD
10.0
"
6.0
在 + (sog), 在 一个, 在 b, 在 c, 在
*
V
在
= v
SS
或者 v
DD
10.0
"
40 nA
I
OZ
最大 off–state 场效应晶体管 泄漏 电流
在 一个, 在 c: v
在
= v
DD
,
输出 一个, 输出 c2: v
输出
= v
SS
或者 v
DD
10.0
"
100
nA
在 b, 在 c: v
在
= v
SS
,
输出 b, 输出 c1: v
输出
= v
SS
或者 v
DD
10.0
"
100
I
DD
最大 安静的 电流 T
一个
= 25
°
C
在 一个, 在 b, 在 c: v
在
= v
SS
或者 v
DD
,
|V
在
+
*
V
在
*
| = 100 mv,
I
输出
= 0
µ
一个
10.0 10
µ
一个
C
在
最大 输入 电容 在 +
其它 输入
f = 1 khz —
—
5.0
15
pF
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