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资料编号:1082166
 
资料名称:IRF7475
 
文件大小: 628264K
   
说明
 
介绍:
12V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package 
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

2 www.irf.com
S
D
G
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
流-至-源 损坏 电压 12 ––– ––– V
∆Β
V
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.014 ––– v/°c
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– 11.5 15
m
––– 20 50
V
gs(th)
门 门槛 电压 0.6 ––– 2.0 V
V
gs(th)
门 门槛 电压 系数 ––– 3.2 ––– mv/°c
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流 ––– ––– 100 µA
––– ––– 250
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 200 nA
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -200
gfs 向前 跨导 22 ––– ––– S
Q
g
总的 门 承担 ––– 13 19
Q
gs1
前-vth 门-至-源 承担 ––– 2.6 –––
Q
gs2
邮递-vth 门-至-源 承担 ––– 1.5 ––– nC
Q
gd
门-至-流 承担 ––– 3.9 –––
Q
godr
门 承担 overdrive ––– 5.0 ––– 看 图. 16
Q
sw
转变 charge (q
gs2
+ q
gd
)
––– 5.4 –––
Q
oss
输出 承担 ––– 17 ––– nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 7.5 –––
t
r
上升 时间 –––33–––
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 13 ––– ns
t
f
下降 时间 ––– 7.5 –––
C
iss
输入 电容 ––– 1590 –––
C
oss
输出 电容 ––– 1310 ––– pF
C
rss
反转 转移 电容 ––– 260 –––
avalanche 特性
参数 单位
E
Single 脉冲波 avalanche energy
dh
mJ
I
AR
avalanche 电流
一个
E
AR
repetitive avalanche energy
mJ
二极管 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 ––– ––– 11
(身体 二极管) 一个
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– 88
(Body二极管)
Ãh
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 42 63 ns
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 44 66 nC
t
向前 转变-在 时间
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 ls+ld)
V
DS
= 10v, v
GS
= 0v
V
DD
= 6.0v, v
GS
= 4.5v
f
I
D
= 8.8a
V
DS
= 6.0v
V
GS
= 12v
V
GS
= -12v
情况
0.25
最大值
情况
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
GS
= 4.5v, i
D
= 8.8a
f
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
V
DS
= 9.6v, v
GS
= 0v
V
DS
= 9.6v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
clamped inductive 加载
V
DS
= 6.0v, i
D
= 8.8a
180
T
J
= 25°c, i
F
= 8.8a, v
DD
= 10v
di/dt = 100a/µs
f
T
J
= 25°c, i
S
= 8.8a, v
GS
= 0v
f
表明 这
integral 反转
p-n 接合面 二极管.
8.8
场效应晶体管 标识
V
GS
= 2.8v, i
D
= 5.5a
f
–––
V
GS
= 4.5v
典型值
–––
–––
I
D
= 7.0a
V
GS
= 0v
V
DS
= 6.0v
ƒ = 1.0mhz
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