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资料编号:1082166
资料名称:
IRF7475
文件大小: 628264K
说明
:
介绍
:
12V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
: 点此下载
1
2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4
www.irf.com
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
1
10
100
c, 电容 (pf)
100
1000
10000
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
V
SD
, 源-至-流 电压 (v)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
SD
, 反转 流 电流 (一个)
0.1
1
10
100
V
GS
= 0v
T
J
= 25ºc
T
J
= 150ºc
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0.1
1
10
100
I
D
, 流-至-源 电流 (一个)
0.1
1
10
100
1000
运作 在 这个 范围
限制 用 r
DS
(在)
10msec
1msec
10µsec
T
C
= 25ºc
T
J
= 150ºc
单独的 脉冲波
Q
G
, 总的 门 承担 (nc)
0
5
10
15
20
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
0
1
2
3
4
5
6
I
D
= 7.0a
V
DS
= 12v
V
DS
= 6.0v
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