飞利浦 半导体
PMV56XN
µ
trenchmos™ 极其 低 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 26 二月 2003 2 的 12
9397 750 11096
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5. 快 涉及 数据
6. 限制的 值
表格 2: 快 涉及 数据
标识 参数 情况 Typ 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) 25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C - 20 V
I
D
流 电流 (直流) T
sp
=25
°
c; v
GS
= 4.5 V - 2.5 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
sp
=25
°
C - 0.83 W
T
j
接合面 温度 - 150
°
C
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
= 4.5 v; i
D
= 3.6 一个; t
j
=25
°
C 5685m
Ω
V
GS
= 2.5 v; i
D
= 3.1 一个; t
j
=25
°
C 77 115 m
Ω
表格 3: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) 25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C - 20 V
V
GS
门-源 电压 (直流) -
±
8V
I
D
流 电流 (直流) T
sp
=25
°
c; v
GS
= 4.5 v; 图示 2 和 3 - 2.5 一个
T
sp
=70
°
c; v
GS
= 4.5 v; 图示 2 -2a
I
DM
顶峰 流 电流 T
sp
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s; 图示 3 - 10.9 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
sp
=25
°
c; 图示 1 - 0.83 W
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
65 +150
°
C
源-流 二极管
I
S
源 (二极管 向前) 电流 (直流) T
sp
=25
°
C - 0.7 一个