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资料编号:1082738
资料名称:
BT151 series
文件大小: 38895K
说明
:
介绍
:
Thyristors
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体
产品 规格
Thyristors
bt151 序列
热的 抵制
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
R
th j-mb
热的 阻抗
-
-
1.3
k/w
接合面 至 挂载 根基
R
th j-一个
热的 阻抗
在 自由 空气
-
60
-
k/w
接合面 至 包围的
静态的 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 陈述
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
I
GT
门 触发 电流
V
D
= 12 v; i
T
= 0.1 一个
-
2
15
毫安
I
L
闭锁 电流
V
D
= 12 v; i
GT
= 0.1 一个
-
10
40
毫安
I
H
支持 电流
V
D
= 12 v; i
GT
= 0.1 一个
-
7
20
毫安
V
T
在-状态 电压
I
T
= 23 一个
-
1.4
1.75
V
V
GT
门 触发 电压
V
D
= 12 v; i
T
= 0.1 一个
-
0.6
1.5
V
V
D
= v
drm(最大值)
; i
T
= 0.1 一个; t
j
= 125 ˚c
0.25
0.4
-
V
I
D
, i
R
止-状态 泄漏 电流
V
D
= v
drm(最大值)
; v
R
= v
rrm(最大值)
; t
j
= 125 ˚c
-
0.1
0.5
毫安
动态 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 陈述
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
dV
D
/dt
核心的 比率 的 上升 的
V
DM
= 67% v
drm(最大值)
; t
j
= 125 ˚c;
止-状态 电压
exponential 波形;
门 打开 电路
50
130
-
v/
µ
s
R
GK
= 100
Ω
200
1000
-
v/
µ
s
t
gt
门 控制 转变-在
I
TM
= 40 一个; v
D
= v
drm(最大值)
; i
G
= 0.1 一个;
-
2
-
µ
s
时间
dI
G
/dt = 5 一个/
µ
s
t
q
电路 commutated
V
D
= 67% v
drm(最大值)
; t
j
= 125 ˚c;
-
70
-
µ
s
转变-止 时间
I
TM
= 20 一个; v
R
= 25 v; di
TM
/dt = 30 一个/
µ
s;
dV
D
/dt = 50 v/
µ
s; r
GK
= 100
Ω
六月 1999
2
rev 1.300
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