2000 Oct 30 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管
bfg505w; bfg505w/x;
bfg505w/xr
特性
•
高 电源 增益
•
低 噪音 图示
•
高 转变 频率
•
金 敷金属 确保
极好的 可靠性.
产品
rf front 终止 产品 在 这 ghz
范围, 此类 作 相似物 和 数字的
cellular telephones, cordless
telephones (ct2, ct3, pcn, dect,
等.), radar detectors, pagers,
satellite television tuners (satv).
描述
npn 硅 planar 外延的
晶体管 在 4-管脚 双-发射级
sot343n 和 sot343r 塑料
包装.
标记
固定
类型 号码 代号
BFG505W N0
bfg505w/x N1
bfg505w/xr P0
管脚 描述
BFG505W
(看 图.1)
1 集电级
2 根基
3 发射级
4 发射级
bfg505w/x
(看 图.1)
1 集电级
2 发射级
3 根基
4 发射级
bfg505w/xr
(看 图.2)
1 集电级
2 发射级
3 根基
4 发射级
图.1 sot343n.
页
顶 视图
MBK523
21
34
图.2 sot343r.
alfpage
顶 视图
MSB842
21
43
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
20 V
V
CES
集电级-发射级 电压 R
是
=0
−−
15 V
I
C
集电级 电流 (直流)
−−
18 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
≤
85
°
C
−−
500 mW
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 V 60 120 250
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CB
= 6 v; f = 1 MHz
−
0.2
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 v; f = 1 ghz; t
amb
=25
°
C
−
9
−
GHz
G
UM
最大 unilateral
电源 增益
I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 v; f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
19
−
dB
I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 v; f = 2 ghz; t
amb
=25
°
C12
−
dB
|s
21
|
2
嵌入 电源 增益 I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 v; f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C15 16
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=Γ
opt
; i
C
= 1.25 毫安; v
CE
= 6 v; f = 2 GHz
−
1.9
−
dB
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