2000 十一月 15 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 一般 目的 晶体管 bc856t; bc857t 序列
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 在 自由 空气; 便条 1 833 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流 V
CB
=
−
30 v; i
E
=0
−−−
15 nA
V
CB
=
−
30 v; i
E
= 0; t
j
= 150
°
C
−−−
5
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
=
−
5 v; i
C
=0
−−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=
−
5 v; i
C
=
−
2mA
bc856at; bc857at 125
−
250
bc856bt; bc857bt 220
−
475
BC857CT 420
−
800
V
CEsat
集电级-发射级 饱和
电压
I
C
=
−
10 毫安; i
B
=
−
0.5 毫安
−−−
200 mV
I
C
=
−
100 毫安; i
B
=
−
5 毫安; 便条 1
−−−
400 mV
V
是
根基-发射级 电压 I
C
=
−
2 毫安; v
CE
=
−
5V
−
580
−−
700 mV
I
C
=
−
10 毫安; v
CE
=
−
5V
−−−
770 mV
C
c
集电级 电容 V
CB
=
−
10 v; f = 1 mhz; i
E
=i
e
=0
−−
2.5 pF
C
e
发射级 电容 V
EB
=
−
0.5 v; f = 1 mhz; i
C
=i
c
=0
−
10
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
=
−
10 毫安; v
CE
=
−
5v;
f = 100 MHz
100
−−
MHz
F 噪音 figure I
C
=
−
200
µ
一个; v
CE
=
−
5v;
R
S
=2k
Ω
; f = 1 khz; b = 200 Hz
−−
10 dB