2000 十一月 15 4
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 一般 目的 晶体管 bc856t; bc857t 序列
graphical 信息 bc857at
handbook, halfpage
0
200
300
400
500
h
FE
100
MGT711
−
10
−
2
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
−
10
3
I
C
(毫安)
(1)
(2)
(3)
图.2 直流 电流 增益; 典型 值.
V
CE
=
−
5v.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
0
−
1200
−
1000
−
800
−
600
−
400
−
200
MGT712
−
10
−
2
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
−
10
3
I
C
(毫安)
V
是
(mv)
(1)
(2)
(3)
图.3 根基-发射级 电压 作 一个 函数 的
集电级 电流; 典型 值.
V
CE
=
−
5v.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 150
°
c.
handbook, halfpage
−
10
4
−
10
3
−
10
2
−
10
MGT713
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
−
10
3
I
C
(毫安)
V
CEsat
(mv)
(1)
(2)(3)
图.4 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
MGT714
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
−
10
3
I
C
(毫安)
0
−
1200
−
1000
−
800
−
600
−
400
−
200
V
BEsat
(mv)
(1)
(2)
(3)
图.5 根基-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 150
°
c.