2000 十一月 15 5
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 一般 目的 晶体管 bc856t; bc857t 序列
graphical 信息 bc857bt
handbook, halfpage
0
400
600
800
1000
h
FE
200
MGT715
−
10
−
2
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
−
10
3
I
C
(毫安)
(1)
(2)
(3)
图.6 直流 电流 增益; 典型 值.
V
CE
=
−
5v.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
0
−
1200
−
1000
−
800
−
600
−
400
−
200
MGT716
−
10
−
2
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
−
10
3
I
C
(毫安)
V
是
(mv)
(1)
(2)
(3)
图.7 根基-发射级 电压 作 一个 函数 的
集电级 电流; 典型 值.
V
CE
=
−
5v.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 150
°
c.
handbook, halfpage
−
10
4
−
10
3
−
10
2
−
10
MGT717
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
−
10
3
I
C
(毫安)
V
CEsat
(mv)
(1)
(2)
(3)
图.8 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
MGT718
−
10
−
1
−
1
−
10
−
10
2
−
10
3
I
C
(毫安)
0
−
1200
−
1000
−
800
−
600
−
400
−
200
V
BEsat
(mv)
(1)
(2)
(3)
图.9 根基-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 150
°
c.