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2001 十一月 07 4
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 一般 目的 翻倍 晶体管 BC857BV
特性
T
amb
=25
°
c; 除非 否则 speciﬁed.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
每 晶体管
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
−
30 V
−−−
15 nA
I
E
= 0; v
CB
=
−
30 v; t
j
= 150
°
C
−−−
5
µ
一个
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=
−
5V
−−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
−
2 毫安; v
CE
=
−
5 V 200
−
450
V
是
根基-发射级 电压 I
C
=
−
2 毫安; v
CE
=
−
5V
−
600
−
655
−
750 mV
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
10 毫安; i
B
=
−
0.5 毫安
−−−
100 mV
I
C
=
−
100 毫安; i
B
=
−
5. 毫安; 便条 1
−−−
400 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
10 毫安; i
B
=
−
0.5 毫安
−−
755
−
mV
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=
−
10 v; f = 1 MHz
−−
2.2 pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
=
−
500 mv;
f=1MHz
−
10
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
=
−
10 毫安; v
CE
=
−
5v;
f = 100 MHz
100
−−
MHz

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2001 十一月 07 4 飞利浦半导体产品规格 pnp 一般目的翻倍晶体管 BC857BV 特性 T amb =25 ° c; 除非否则 speciﬁed. 便条 1. 脉冲波测试: t p ≤ 300 µ s; δ≤ 0.02. 标识参数情况最小值典型值最大值单位每晶体管 I CBO 集电级-根基截-止电流 I E = 0; v CB = − 30 V −−− 15 nA I E = 0; v CB = − 30 v; t j = 150 ° C −−− 5 µ 一个 I EBO 发射级-根基截-止电流 I C = 0; v EB = − 5V −−− 100 nA h FE 直流电流增益 I C = − 2 毫安; v CE = − 5 V 200 − 450 V 是根基-发射级电压 I C = − 2 毫安; v CE = − 5V − 600 − 655 − 750 mV V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = − 10 毫安; i B = − 0.5 毫安 −−− 100 mV I C = − 100 毫安; i B = − 5. 毫安; 便条 1 −−− 400 mV V BEsat 根基-发射级饱和电压 I C = − 10 毫安; i B = − 0.5 毫安 −− 755 − mV C c 集电级电容 I E =i e = 0; v CB = − 10 v; f = 1 MHz −− 2.2 pF C e 发射级电容 I C =i c = 0; v EB = − 500 mv; f=1MHz − 10 − pF f T 转变频率 I C = − 10 毫安; v CE = − 5v; f = 100 MHz 100 −− MHz

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