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资料编号:1082794
资料名称:
BC857BV
文件大小: 55832K
说明
:
介绍
:
PNP general purpose double
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2001
十一月
07
4
飞利浦 半导体
产品 规格
pnp 一般 目的 翻倍 晶体管
BC857BV
特性
T
amb
=25
°
c; 除非 否则 specified.
便条
1.
脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
每 晶体管
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流
I
E
=
0; v
CB
=
−
30
V
−−−
15
nA
I
E
=
0; v
CB
=
−
30
v; t
j
=
150
°
C
−−−
5
µ
一个
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流
I
C
=
0; v
EB
=
−
5V
−−−
100
nA
h
FE
直流
电流 增益
I
C
=
−
2
毫安; v
CE
=
−
5
V
200
−
450
V
是
根基-发射级 电压
I
C
=
−
2
毫安; v
CE
=
−
5V
−
600
−
655
−
750
mV
V
CEsat
集电级-发射级
饱和
电压
I
C
=
−
10
毫安; i
B
=
−
0.5
毫安
−−−
100
mV
I
C
=
−
100
毫安; i
B
=
−
5.
毫安; 便条
1
−−−
400
mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
−
10
毫安; i
B
=
−
0.5
毫安
−−
755
−
mV
C
c
集电级 电容
I
E
=i
e
=
0; v
CB
=
−
10
v; f
=
1
MHz
−−
2.2
pF
C
e
发射级 电容
I
C
=i
c
=
0; v
EB
=
−
500
mv;
f=1MHz
−
10
−
pF
f
T
转变 频率
I
C
=
−
10
毫安; v
CE
=
−
5v;
f
=
100
MHz
100
−−
MHz
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