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资料编号:1083199
 
资料名称:BAT74V
 
文件大小: 50123K
   
说明
 
介绍:
Schottky barrier double diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002 Sep 02 2
飞利浦 半导体 产品 规格
肖特基 屏障 翻倍 二极管 BAT74V
特性
低 向前 电压
低 电容
过激 小 smd 塑料 包装
flat leads: 极好的 coplanarity 和 改进 热的
behaviour.
产品
过激 高-速 切换
电压 夹紧
线条 末端
inverse 极性 保护.
描述
planar 肖特基 屏障 翻倍 二极管 和 一个 整体的
守卫 环绕 为 压力 保护.
二 独立的 dies encapsulated 在 一个 sot666 过激 小
smd 塑料 包装.
固定
管脚 描述
1 anode 1
2 不 连接
3 cathode 2
4 anode 2
5 不 连接
6 cathode 1
handbook, halfpage
123
46
5
顶 视图
MAM461
64
3
1
图.1 simplified 外形 (sot666) 和 标识.
标记 代号:
74.
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
R
持续的 反转 电压
30 V
I
F
持续的 向前 电流
200 毫安
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 电流 t
p
1s;
δ≤
0.5
300 毫安
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 电流 t
p
<
10 ms 600 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
25
°
C
230 mW
T
stg
存储 温度
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
125
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
65 +125
°
C
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