2002 Jan 17 2
飞利浦 半导体 产品 规格
肖特基 屏障 翻倍 二极管 bas70-07v
特性
•
低 向前 电压
•
高 反转 电压
•
低 电容
•
过激 小 塑料 smd 包装
•
flat leads: 极好的 coplanarity 和 改进 热的
behaviour.
产品
•
过激 高-速 切换
•
电压 夹紧
•
线条 末端
•
inverse-极性 保护
•
RF 产品 (e.g. 混合 和 demodulation).
描述
planar 肖特基 屏障 翻倍 二极管 和 一个 整体的
守卫 环绕 为 压力 保护.
二 独立的 dies encapsulated 在 一个 sot666 过激 小
smd 塑料 包装.
固定
管脚 描述
1 anode 1
2 不 连接
3 cathode 2
4 anode 2
5 不 连接
6 cathode 1
handbook, halfpage
123
46
5
顶 视图
MAM461
64
3
1
图.1 simplified 外形 (sot666) 和 标识.
标记 代号:
77.
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
每 二极管
V
R
持续的 反转 电压
−
70 V
I
F
持续的 向前 电流
−
70 毫安
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 电流 t
p
≤
1s;
δ≤
0.5
−
70 毫安
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 电流 t
p
<10ms
−
100 毫安
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
−
65 +150
°
C