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资料编号:1083206
 
资料名称:BAS40-05V
 
文件大小: 55895K
   
说明
 
介绍:
Schottky barrier diodes
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002 十一月 21 2
飞利浦 半导体 产品 规格
肖特基 屏障 二极管 bas40-05v
特性
低 向前 电压
absorbs 非常 高 surge 脉冲波
低 电容
过激 小 smd 塑料 包装
flat leads 给 极好的 coplanarity 改进
热的 behaviour.
产品
过激 高-速 切换
电压 夹紧
板 空间 核心的 产品.
描述
这 bas40-05v 组成 的 二 双 肖特基 屏障
二极管 和 一般 cathodes 和 整体的 守卫 环绕
为 压力 保护.
二 独立的 dice 是 encapsulated 在 一个 sot666 过激
小 smd 塑料 包装.
固定
管脚 描述
1 anode (a1)
2 anode (a2)
3 一般 cathode (k2)
4 anode (a3)
5 anode (a4)
6 一般 cathode (k1)
handbook, halfpage
654
123
MBL746
顶 视图
123
456
图.1 simplified 外形 (sot666) 标识.
标记 代号:
65
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
每 二极管
V
R
持续的 反转 电压
40 V
I
F
持续的 向前 电流
120 毫安
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 电流 t
p
<1s;
δ
< 0.5
120 毫安
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 电流 t = 8.3 ms half sinewave;
电子元件工业联合会 方法
200 毫安
T
stg
存储 温度
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
65 +150
°
C
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