2
晶体管 2sa1619, 2sa1619a
0 16040 12080 14020 10060
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
0 –20–16–4 –12–8
0
–800
–600
–200
–500
–700
–400
–100
–300
Ta=25˚C
I
B
=–10mA
–9mA
–8mA
–7mA
–6mA
–5mA
–4mA
–3mA
–2mA
–1mA
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
0 –10–8–2 –6–4
0
–800
–600
–200
–500
–700
–400
–100
–300
V
CE
=–10V
Ta=25˚C
根基 电流 i
B
(
毫安
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
– 0.01
– 0.1 –1 –10
– 0.03
– 0.3 –3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/i
B
=10
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
– 0.01
– 0.1 –1 –10
– 0.03
– 0.3 –3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/i
B
=10
Ta=–25˚C
25˚C
75˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
根基 至 发射级 饱和 电压 v
是(sat)
(
V
)
– 0.01
– 0.1 –1 –10
– 0.03
– 0.3 –3
0
600
500
400
300
200
100
V
CE
=–10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
1 3 10 30 100
0
240
200
160
120
80
40
V
CB
=–10V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
–1 –3 –10 –30 –100
0
24
20
16
12
8
4
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
1 10 100 10003 30 300
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
I
C
=–2mA
Ta=25˚C
2SA1619A
2SA1619
根基 至 发射级 阻抗 r
是
(
k
Ω
)
集电级 至 发射级 电压 v
CER
(
V
)
P
C
—Ta I
C
—V
CE
I
C
—I
B
V
ce(sat)
—I
C
V
是(sat)
—I
C
h
FE
—I
C
f
T
—I
E
C
ob
—V
CB
V
CER
—R
是
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