1
晶体管
2SC3130
硅 npn 外延的 planer 类型
为 高-频率 放大器/振动/混合
■
特性
●
高 转变 频率 f
T
.
●
小 集电级 输出 电容 c
ob
和 一般 根基 反转
转移 电容 c
rb
.
●
迷你 类型 包装, 准许 downsizing 的 这 设备 和
自动 嵌入 通过 这 录音带 包装 和 这 magazine
包装.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:根基 电子元件工业联合会:to–236
2:发射级 eiaj:sc–59
3:集电级 迷你 类型 包装
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.25
–0.05
0.65
±
0.15 0.65
±
0.15
3
1
2
0.950.95
1.9
±
0.2
0.4
+0.1
–0.05
1.1
+0.2
–0.1
0.8
0.4
±
0.2
0 至 0.1
0.16
+0.1
–0.06
1.45
0.1 至 0.3
2.9
+0.2
–0.05
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
15
10
3
50
150
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
毫安
mW
˚C
˚C
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
集电级 输出 电容
根基 时间 常量
一般 发射级 反转 转移 电容
h
FE
比率
标识
I
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
*
V
ce(sat)
f
T
C
ob
r
bb
' · c
C
C
rb
∆
h
FE
情况
V
CB
= 10v, i
E
= 0
I
C
= 2ma, i
B
= 0
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= 4v, i
C
= 5ma
I
C
= 20ma, i
B
= 4ma
V
CB
= 4v, i
E
= –5ma, f = 200mhz
V
CB
= 4v, i
E
= 0, f = 1mhz
V
CB
= 4v, i
E
= –5ma, f = 31.9mhz
V
CB
= 4v, i
E
= 0, f = 1mhz
V
CE
= 4v, i
C
= 100
µ
一个
V
CE
= 4v, i
C
= 5ma
最小值
10
3
75
1.4
0.75
典型值
200
1.9
1.4
11
0.45
最大值
1
400
0.5
2.5
1.6
单位
µ
一个
V
V
V
GHz
pF
ps
pF
标记 标识 :
1S
*
h
FE
分级 分类
分级 P Q R
h
FE
75 ~ 130 110 ~ 220 200 ~ 400
标记 标识 1SP 1SQ 1SR
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