I
D
Continuous
Dr一个in Current
(一个)
70°
所以-8
表面 挂载 包装
V
(BR)DSS
Dr一个in-to-Source
Bre一个kdown
Voltage
(V)
R
DS(on)
On-St一个te
Resist一个nce
( )
Ω
I
D
Continuous
Dr一个in Current
25°C
(一个)
R
Θ
M一个x. Therm一个l
Resist一个nce
(°C/W)
1
F一个x
on
Dem一个nd
Number
C一个se
Outline
Key
P一个rt
Number
P
D
M一个x. Power
Dissipation
(W)
1
hexfet 电源 mosfets
®
www.irf.com
n-频道
逻辑 水平的
IRF7401
912442.520 0.022 8.7 7.0 50 H4
IRF7201
911002.530 0.030 7.0 5.6 50
IRF7403
912452.530 0.022 8.5 5.4 50
双 n-频道
逻辑 水平的
IRF7101
908712.020 0.10 3.5 2.3 62.5 H4
IRF7301
912382.020 0.050 5.2 4.1 62.5
IRF7303
912392.030 0.050 4.9 3.9 62.5
IRF7103
910952.050 0.130 3.0 2.3 62.5
p-频道
逻辑 水平的
IRF7204
911032.5-20 0.060 -5.3 -4.2 50 H4
IRF7404
912462.5-20 0.040 -6.7 -5.4 50
IRF7205
911042.5-30 0.070 -4.6 -3.7 50
IRF7406
912472.5-30 0.045 -5.8 -3.7 50
IRF7416
913562.5-30 0.02 -10 -7.1 50
* indicates 低 vgs(th), 这个 能 运作 在 vgs = 2.7v
量过的 在 包围的 为 micro3, micro6, micro8, 所以-8, 和 sot-223 包装 styles. 所有 其他 量过的 在 case.
1
Micro3
所以-8
d-pak
d -pak
sot-227
Micro6
sot-223
Micro8
2
illustrations 不 至 规模
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