I
D
Continuous
Dr一个inCurrent
(一个)
100°
D
2
Pak
表面 挂载 包装
V
(BR)DSS
Dr一个in-to-Source
Bre一个kdown
Voltage
(V)
R
DS(on)
On-St一个te
Resist一个nce
()
Ω
I
D
Continuous
Dr一个inCurrent
25°C
(一个)
R
Θ
M一个x.Therm一个l
Resist一个nce
(°C/W)
1
F一个x
on
Dem一个nd
Number
C一个se
Outline
Key
P一个rt
Number
P
D
M一个x.Power
Dissip一个tion
(W)
1
hexfet 电源 mosfets
®
www.irf.com
IRFBF20S
91665549008.01.71.12.3H10
p-频道
IRF5305S
91386110-550.06-31-221.4H10
IRF4905S
914783.8
-550.02-74-5240
IRF9520NS
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-1000.117-19-131.6
IRF5210S
91405150
-1000.06-35-251.0
* indicates 低 vgs(th), 这个 能 运作 在 vgs = 2.7v
量过的 在 包围的 为 micro3, micro6, micro8, 所以-8, 和 sot-223 包装 styles. 所有 其他 量过的 在 case.
1
Micro3
所以-8
d-pak
d -pak
sot-227
Micro6
sot-223
Micro8
2
illustrations 不 至 规模