IRF7314Q
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参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
-1.0 V T
J
= 25
°
c, i
S
= -3.0a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间
–––
44 66 ns T
J
= 25
°
c, i
F
= -3.0a
Q
rr
反转 恢复 承担
–––
54 81 nC di/dt = -100a/µs
源-流 比率 和 特性
––– –––
–––
–––
-43
-3.0
一个
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -20
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= -250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.009
–––
v/
°
C 涉及 至 25
°
c, i
D
= -1ma
–––
0.049 0.058 V
GS
= -4.5v, i
D
= -5.2a
–––
0.082 0.098 V
GS
= -2.7v, i
D
= -4.42a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -0.7
––– –––
VV
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 6.8
––– –––
SV
DS
= 10v, i
D
= -5.2a
––– –––
-1.0 V
DS
= -16v, v
GS
= 0v
––– –––
-25 V
DS
= -16v, v
GS
= 0v, t
J
= 150
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
-100 V
GS
= -12v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 12v
Q
g
总的 门 承担
–––
19 29 I
D
= -5.2a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
2.1 3.2 nC V
DS
= -16v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
9.3 14 V
GS
= -4.5v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
18
–––
V
DD
= -10v
t
r
上升 时间
–––
26
–––
I
D
= -1.0a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
41
–––
R
G
= 6.0
Ω
t
f
下降 时间
–––
38
–––
V
GS
= -4.5v
C
iss
输入 电容
–––
913
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
512
–––
pF V
DS
= -15v
C
rss
反转 转移 电容
–––
260
––– ƒ
= 1.0mhz
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
µA
Ω
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
nA
ns
注释:
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
开始 t
J
= 25
°
c, l = 45mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= -5.2a.
表面 挂载 在 fr-4 板, t
≤
10sec.
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
S
D
G
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