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资料编号:1086443
 
资料名称:IRF7314Q
 
文件大小: 152323K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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IRF7314Q
6 www.irf.com
图 12.
典型 在-阻抗 vs.
流 电流
图 11.
典型 在-阻抗 vs.
门 电压
图 13b.
门 承担 测试 电路
d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
µ
F
50K
.2
µ
F
12V
电流 调整器
一样 类型 d.u.t.
电流 抽样 电阻器
+
-
图 13a.
基本 门 承担 波形
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
承担
10 v
图 14.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
25 50 75 100 125 150 175
0
400
800
1200
1600
Starting tj, 接合面 温度 (C)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
°
I
D
BOTTOM
-2.1a
-4.4a
-5.2a
2.0 4.0 6.0 8.0
-v
gs,
门 -至 -源 电压 (v)
0.030
0.040
0.050
0.060
0.070
0.080
R
ds(在)
, 流-至 -源 在 阻抗 (
)
I
D
= -5.2a
0 1020304050
-i
D
, 流 电流 ( 一个 )
0.030
0.130
0.230
0.330
0.430
R
ds ( 在 )
, 流-至-源 在 阻抗 (
)
vgs = -2.7v
vgs = -4.5v
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