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资料编号:1086443
 
资料名称:IRF7314Q
 
文件大小: 152323K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7314Q
www.irf.com 7
无花果 15.
典型 雪崩 电流 vs.脉冲宽度
无花果 16.
最大值 雪崩 能源
vs. 温度
备注 开启 重复性 雪崩 曲线 , 数字 15, 16:
(用于 进一步 信息, 请参见 一个-1005 在 www.irf.com)
1. 雪崩 故障 假设:
纯粹的 一个 热 现象 和 故障 发生 在 一个
温度 远 入点 超额 的 t
jmax
. 这个 是 已验证 用于
每 零件 类型.
2. 安全 操作 入点 雪崩 是 允许 作为 长 ast
jmax
不 超过.
3. 方程 下面 基于 开启 电路 和 波形 显示 入点
数字 12a, 12b.
4. p
d (平均)
= 平均值 电源 耗散 按 单独
雪崩 脉冲.
5. bv = 额定 击穿 电压 (1.3 因素 账户 用于
电压 增加 期间 雪崩).
6. 我
av
= 允许 雪崩 电流.
7.
t
=
允许 上升 入点 接合点 温度, 不 至 超过
t
jmax
(假设 作为 25
°
c 入点 图 15, 16).
t
av =
平均值 时间 入点 雪崩.
d = 职责 循环 入点 雪崩 = t
av
·
f
z
thjc
(d, t
av
) = 瞬态 热 电阻, 请参见 图 11)
p
d (平均)
= 1/2 ( 1.3
·
BV
·
av
) =
∆∆
∆∆
t/ z
thjc
av
=
2
∆∆
∆∆
t/ [1.3
·
BV
·
z
th
]
e?
作为 (ar)
= p
d (平均)
·
t
av
25 50 75 100 125 150 175
起动 t
j
, 接合点 温度 (
°
c)
0
100
200
300
400
500
600
700
e?
ar
, 雪崩 能源 (mj)
顶部 单独 脉冲
底部 10% 职责 循环
d
= -5.2a
1.0e-05 1.0e-04 1.0e-03 1.0e-02 1.0e-01 1.0e+00 1.0e+01 1.0e+02
tav (秒)
0.01
0.1
1
10
100
- 雪崩 电流 (一个)
0.05
职责 循环 = 单独 脉冲
0.10
允许 雪崩 电流 vs
雪崩 脉冲宽度, tav
假设
tj = 25
°
c 到期 至
雪崩 损失
0.01
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