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资料编号:1086448
 
资料名称:IRF7342D2
 
文件大小: 128700K
   
说明
 
介绍:
FETKY MOSFET & Schottky Diode
 
 


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IRF7342D2
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流(身体 二极管)
––– –––
-2.0
I
SM
搏动 源 电流(身体 二极管)
––– –––
-27
V
SD
身体 二极管 向前 电压
––– –––
-1.2 V T
J
= 25
°
c, i
S
= -2.0a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 (身体 二极管)
–––
54 80 ns T
J
= 25
°
c, i
F
= -2.0a
Q
rr
反转 恢复 承担
–––
85 130 nC di/dt = 100a/µs
一个
场效应晶体管 源-流 比率 和 特性
参数 最大值单位
情况
如果 (av) 最大值 平均 向前 电流 3.0 50% 职责 循环. rectangular 波, t
一个
= 57
°
C
看 图. 21
I
SM
最大值 顶峰 一个 循环 非-repetitive 490 5µs sine 或者 3µs rect. 脉冲波 下列的 任何 评估
surge 电流 70 10ms sine 或者 6ms rect. 脉冲波 加载 情况 &放大;
和 vrrm 应用
一个
肖特基 二极管 最大 比率
一个
肖特基 二极管 电的 规格
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -55
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= -250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
-0.054
–––
v/
°
C 涉及 至 25
°
c, i
D
= -1ma
–––
95 105 V
GS
= -10v, i
D
= -3.4a
–––
150 170 V
GS
= -4.5v, i
D
= -2.7a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -1.0
––– –––
VV
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 3.3
––– –––
SV
DS
= -10v, i
D
= -3.1a
––– –––
-2.0 V
DS
= -44v, v
GS
= 0v
––– –––
-25 V
DS
= -44v, v
GS
= 0v, t
J
= 70
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
-100 V
GS
= -20v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 20v
Q
g
总的 门 承担
–––
26 38 I
D
= -3.1a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
3.0 4.5 nC V
DS
= -44v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
8.4 13 V
GS
= -10v, 看 图. 6 &放大; 14
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
14 22 V
DD
= -28v
t
r
上升 时间
–––
10 15 I
D
= -1.0a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
43 64 R
G
= 6.0
t
f
下降 时间
–––
22 32 V
GS
= -10v,
C
iss
输入 电容
–––
690
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
210
–––
pF V
DS
= -25v
C
rss
反转 转移 电容
–––
86
––– ƒ
= 1.0mhz, 看 图. 5
电的 特性 @ t
J
= 25
°
c (除非 否则 指定)
I
GSS
µA
m
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
nA
ns
参数 最大值 单位 情况
Vfm 最大值 向前 电压 漏出 0.61 如果 =3.0a, tj = 25
°
C
0.76 如果 = 6.0a, tj = 25
°
C
0.53 如果 =3.0a, tj = 125
°
C
0.65 如果 = 6.0a, tj = 125
°
C
Vrrm 最大值 working 顶峰 反转 电压 60
Irm 最大值 反转 泄漏 电流 2.0 毫安 vr = 60v tj = 25
°
C
30 tj = 125
°
C
V
V
Ct 最大值 接合面 电容 145 pF vr = 5vdc ( 100khz 至 1 mhz) 25
°
C
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