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资料编号:1086452
 
资料名称:IRF7420
 
文件大小: 106244K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7420
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
-1.2 V T
J
= 25
°
c, i
S
= -2.5a, v
GS
= 0v

t
rr
反转 恢复 时间
–––
62 93 ns T
J
= 25
°
c, i
F
= -2.5a
Q
rr
反转 恢复 承担
–––
61 92 µC di/dt = -100a/µs
源-流 比率 和 特性
一个
-46
–––
–––
–––
-2.5
–––
S
D
G
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
注释:
脉冲波 宽度
400µs; 职责 循环
2%.
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
表面 挂载 在 1 在 正方形的 cu 板, t
10sec.
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -12
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= -250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.007
–––
v/
°
C 涉及 至 25
°
c, i
D
= -1ma
––– –––
14 V
GS
= -4.5v, i
D
= -11.5a
––– –––
17.5 V
GS
= -2.5v, i
D
= -9.8a
––– –––
26 V
GS
= -1.8v, i
D
= -8.1a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -0.4
–––
-0.9 V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 32
––– –––
SV
DS
= -10v, i
D
= -11.5a
––– –––
-1.0 V
DS
= -9.6v, v
GS
= 0v
––– –––
-25 V
DS
= -9.6v, v
GS
= 0v, t
J
= 70
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
-100 V
GS
= -8v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 8v
Q
g
总的 门 承担
–––
38
–––
I
D
= -11.5a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
8.1
–––
nC V
DS
= -6v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
8.7
–––
V
GS
= -4.5v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
8.8 13 V
DD
= -6v, v
GS
= -4.5v
t
r
上升 时间
–––
8.8 13 I
D
= -1.0a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
291 437 R
D
= 6
t
f
下降 时间
–––
225 338 R
G
= 6
C
iss
输入 电容
–––
3529
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
1013
–––
pF V
DS
= -10v
C
rss
反转 转移 电容
–––
656
––– ƒ
= 1.0mhz
I
GSS
µA
m
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
nA
ns
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