IRF7422D2
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参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -20
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= -250µa
–––
0.07 0.09 V
GS
= -4.5v, i
D
= -2.2a
–––
0.115 0.14 V
GS
= -2.7v, i
D
= -1.8a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -0.70
––– –––
VV
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 4.0
––– –––
SV
DS
= -16v, i
D
= -2.2a
––– –––
-1.0 V
DS
= -16v, v
GS
= 0v
––– –––
-25 V
DS
= -16v, v
GS
= 0v, t
J
= 125
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
-100 V
GS
= -12v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 12v
Q
g
总的 门 承担
–––
15 22 I
D
= -2.2a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
2.2 3.3 nC V
DS
= -16v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
6.0 9.0 V
GS
= -4.5v, 看 图. 6 和 9
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
8.4
–––
V
DD
= -10v
t
r
上升 时间
–––
26
–––
I
D
= -2.2a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
51
–––
R
G
= 6.0
Ω
t
f
下降 时间
–––
33
–––
R
D
= 4.5
Ω
, 看 图. 10
C
iss
输入 电容
–––
610
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
310
–––
pF V
DS
= -15v
C
rss
反转 转移 电容
–––
170
––– ƒ
= 1.0mhz, 看 图. 5
场效应晶体管 电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
I
GSS
Ω
µA
nA
ns
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流(身体 diode)
––– –––
-2.5
I
SM
搏动 源 电流 (身体 diode)
––– –––
-17
V
SD
身体 二极管 向前 电压
––– –––
-1.0 V T
J
= 25
°
c, i
S
= -1.8a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 (身体 二极管)
–––
56 84 ns T
J
= 25
°
c, i
F
= -2.2a
Q
rr
反转 recoverycharge
–––
71 110 nC di/dt = -100a/µs
一个
场效应晶体管 源-流 比率 和 特性
参数 最大值 单位
情况
如果 (av) 最大值 平均 向前 电流 2.8 50% 职责 循环. rectangular 波, tc = 25
°
C
1.8 50% 职责 循环. rectangular 波, tc = 70
°
C
I
SM
最大值 顶峰 一个 循环 非-repetitive 200 5µs sine 或者 3µs rect. 脉冲波 下列的 任何 评估
surge 电流 20 10ms sine 或者 6ms rect. 脉冲波 加载 情况 &放大;
和 vrrm 应用
一个
肖特基 二极管 最大 比率
一个
参数 最大值 单位 情况
Vfm 最大值 向前 电压 漏出 0.57 如果 = 3.0, tj = 25
°
C
0.77 如果 =6.0, tj = 25
°
C
0.52 如果 = 3.0, tj = 125
°
C
0.79 如果 =6.0, tj = 125
°
c.
Irm 最大值 反转 泄漏 电流 0.13 vr = 20v tj = 25
°
C
18 tj = 125
°
C
Ct 最大值 接合面 电容 310 pF vr = 5vdc ( 100khz 至 1 mhz) 25
°
C
dv/dt 最大值 电压 比率 的 承担 4900 v/µs 评估 vr
肖特基 二极管 电的 规格
V
毫安
( hexfet 是 这 reg. tm 为 国际的 整流器 电源 场效应晶体管's )
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