IRFP32N50K
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标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 500
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.54
–––
v/
°
C 涉及 至 25
°
c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
–––
0.135 0.16
Ω
V
GS
= 10v, i
D
= 32a
V
gs(th)
门 门槛 电压 3.0
–––
5.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
––– –––
50 µA V
DS
= 500v, v
GS
= 0v
––– –––
250 µA V
DS
= 400v, v
GS
= 0v, t
J
= 150
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 30v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
-100
nA
V
GS
= -30v
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
I
SD
≤
32a, di/dt
≤
197a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
150
°
C
注释:
开始 t
J
= 25
°
c, l = 0.87mh, r
G
= 25
Ω
,
I
作
= 32a,
脉冲波 宽度
≤
400µs; 职责 循环
≤
2%.
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 14
––– –––
SV
DS
= 50v, i
D
= 32a
Q
g
总的 门 承担
––– –––
190 i
D
= 32a
Q
gs
门-至-源 承担
––– –––
59 nC V
DS
= 400v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
––– –––
84 V
GS
= 10v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
28
–––
V
DD
= 250v
t
r
上升 时间
–––
120
–––
I
D
= 32a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
48
–––
R
G
= 4.3
Ω
t
f
下降 时间
–––
54
–––
V
GS
= 10v
C
iss
输入 电容
–––
5280
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
550
–––
V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容
–––
45
–––
pF
ƒ
= 1.0mhz, 看 图. 5
C
oss
输出 电容
–––
5630
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
输出 电容
–––
155
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 400v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
eff. 有效的 输出 电容
–––
265
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 400v
动态 @ t
J
= 25
°
c (除非 否则 指定)
ns
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
1.5 V T
J
= 25
°
c, i
S
= 32a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间
–––
530 800 ns T
J
= 25
°
c, i
F
= 32a
Q
rr
反转 recoverycharge
–––
9.0 13.5 µC di/dt = 100a/µs
I
RRM
反转 recoverycurrent
–––
30
–––
一个
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
S
D
G
二极管 特性
32
130
一个
C
oss
eff. 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
.
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