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IRFP360LC
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
10 0 0
20 0 0
30 0 0
40 0 0
50 0 0
60 0 0
1 1 0 10 0
c, 电容 (pf)
DS
V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
V=0V,f=1MHz
C=C+C,CSHORTED
C=C
C=C+C
GS
issgsgdds
rssgd
ossdsgd
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
1 2
1 6
2 0
0 3 0 60 9 0 12 0
Q,Tot一个lG一个teCharge(nC)
G
FORTESTCIRCUIT
看FIGURE13
v     , 门-至-源 voltage (v)
GS
V=320V
V=200V
V=80V
DS
DS
DS
I=23一个
D
1
1 0
1 0 0
0 0 .4 0 .8 1 .2 1 .6 2
T=25°C
T=150°C
J
J
V=0V
GS
V,Source-to-Dr一个inVoltage(V)
i     , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
1
1 0
1 0 0
1 0 0 0
1 1 0 1 0 0 1 0 0 0
V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
DS
i   , 流 电流 (一个)
OPER一个TIONINTHIS一个REALIMITED
用R
D
DS(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
T=25°C
T=150°C
SinglePulse
C
J

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IRFP360LC 图 7. 典型源-流二极管向前电压图 8. 最大 safe 运行范围图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压 0 10 0 0 20 0 0 30 0 0 40 0 0 50 0 0 60 0 0 1 1 0 10 0 c, 电容 (pf) DS V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V) V=0V,f=1MHz C=C+C,CSHORTED C=C C=C+C GS issgsgdds rssgd ossdsgd C iss C oss C rss 0 4 8 1 2 1 6 2 0 0 3 0 60 9 0 12 0 Q,Tot一个lG一个teCharge(nC) G FORTESTCIRCUIT 看FIGURE13 v , 门-至-源 voltage (v) GS V=320V V=200V V=80V DS DS DS I=23一个 D 1 1 0 1 0 0 0 0 .4 0 .8 1 .2 1 .6 2 T=25°C T=150°C J J V=0V GS V,Source-to-Dr一个inVoltage(V) i , 反转流电流 (一个) SD SD 1 1 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 1 0 0 0 V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V) DS i , 流电流 (一个) OPER一个TIONINTHIS一个REALIMITED 用R D DS(在) 10µs 100µs 1ms 10ms T=25°C T=150°C SinglePulse C J

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