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资料编号:1086860
资料名称:
IRGPS40B120UD
文件大小: 119893K
说明
:
介绍
:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRGPS40B120UD
www.irf.com
5
图. 10
- 典型 v
CE
vs. v
GE
T
J
= 25
°
C
图. 9
- 典型 v
CE
vs. v
GE
T
J
= -40
°
C
图. 11
- 典型 v
CE
vs. v
GE
T
J
= 125
°
C
图. 12
- 典型值 转移 特性
V
CE
= 50v; tp = 10µs
5101520
V
GE
(v)
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
C
E
(
V
)
I
CE
= 20a
I
CE
= 40a
I
CE
= 80a
5101520
V
GE
(v)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
C
E
(
V
)
I
CE
= 20a
I
CE
= 40a
I
CE
= 80a
5101520
V
GE
(v)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
C
E
(
V
)
I
CE
= 20a
I
CE
= 40a
I
CE
= 80a
0
5
10
15
20
V
GE
(v)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
C
E
(
一个
)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
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