irl1104s/l
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参数 最小值 典型值 最大值 Units
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 40 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.04 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
=1mA
––– ––– 0.008 V
GS
= 10v, i
D
= 62a
––– ––– 0.012
W
V
GS
= 4.5v, i
D
= 52a
V
gs(th)
门 门槛 电压 1.0 ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 53 ––– ––– S V
DS
= 25v, i
D
= 62a
––– ––– 25
µA
V
DS
=40v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 32v, v
GS
= 0v, t
J
= 150°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 16v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
nA
V
GS
= -16v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 68 I
D
=62A
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 24 nC V
DS
= 32v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 34 V
GS
= 4.5v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 18 ––– V
DD
= 20v
t
r
上升 时间 ––– 257 ––– I
D
=54A
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 32 ––– R
G
= 3.6
Ω
, v
GS
= 4.5v
t
f
下降 时间 ––– 64 ––– R
D
= 0.4
Ω
, 看 图. 10
在 含铅的,
––– –––
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 3445 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 1065 ––– pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 270 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
L
S
内部的 源 电感 7.5
nH
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
I
SD
≤
62a, di/dt
≤
217a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
175°C
注释:
V
DD
= 15v, 开始 t
J
= 25°c, l = 0.18mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= 62a. (看 图示 12)
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
** 当 挂载 在 1" 正方形的 pcb ( fr-4 或者 g-10 材料 ).
为 推荐 footprint 和 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994.
使用 irl1104 数据 和 测试 情况.
源-流 比率 和 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V T
J
= 25°c, i
S
=62a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 84 126 ns T
J
= 25°c, i
F
=62A
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 223 335 nC di/dt = 100a/µs
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
一个
104
416
S
D
G
计算 持续的 电流 为基础 在 最大 容许的
接合面 温度;为 推荐 电流-处理 的 这
包装 谈及 至 设计 tip # 93-4
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