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LTC3730
3730i
heights ranging 从 2mm 至 4mm. 其它 电容 类型
包含 sanyo pos-cap, sanyo os-con, nichicon pl
序列 和 sprague 595d 序列. 咨询 这 生产者
为 其它 明确的 recommendations.
R
SENSE
选择 为 输出 电流
once 这 频率 和 inductor 有 被 选择,
R
sense1,
R
sense2,
R
SENSE3
是 决定 为基础 在 这
必需的 顶峰 inductor 电流. 这 电流 比较器
有 一个 典型 最大 门槛 的 75mv/r
SENSE
和 一个
输入 一般 模式 范围 的 sgnd 至 (1.1) • v
CC
. 这
电流 比较器 门槛 sets 这 顶峰 inductor cur-
rent, yielding 一个 最大 平均 输出 电流 i
最大值
equal 至 这 顶峰 值 较少 half 这 顶峰-至-顶峰 波纹
电流,
∆
I
L
.
准许 一个 余裕 为 变化 在 这 ic 和 外部
组件 值 产量:
RN
mV
I
SENSE
最大值
=
50
这 ic 工作 好 和 值 的 r
SENSE
从 0.002
Ω
至
0.02
Ω
.
V
CC
解耦
这 v
CC
管脚 供应 电源 不 仅有的 这 内部的 电路
的 这 控制 但是 也 这 顶 和 bottom 门 驱动器
在 这 ic 和 因此 必须 是 绕过 非常 carefully
至 地面 和 一个 陶瓷的 电容, 类型 x7r 或者 x5r
(取决于 在之上 这 运行 温度 environ-
ment) 的
在 least 1
µ
f imme
diately next 至 这 ic
和
preferably 一个 额外的 10
µ
f 放置 非常 关闭 至 这 ic
预定的 至 这 极其 高 instantaneous 电流 在-
volved. 这 总的 电容, 带去 在 账户 这
电压 系数 的 陶瓷的 电容, 应当 是 100
时间 作 大 作 这 总的 联合的 门 承担 capaci-
tance 的 所有 的 这 mosfets 正在 驱动. 好的 绕过-
ing 关闭 至 这 ic 是 需要 至 供应 这 高 瞬时
电流 必需的 用 这 场效应晶体管 门 驱动器 当 保持-
ing 这 5v 供应 安静 足够的 所以 作 不 至 disturb 这 非常
小-信号 高 带宽 的 这 电流 comparators.
topside 场效应晶体管 驱动器 供应 (c
B
, d
B
)
外部 自举 电容, c
B
, 连接 至 这 boost
管脚, 供应 这 门 驱动 电压 为 这 topside
mosfets. 电容 c
B
在 这 函数的 图解 是
charged though 二极管 d
B
从 v
CC
当 这 sw 管脚 是
低. 当 一个 的 这 topside mosfets 转变 在, 这
驱动器 places 这 c
B
电压 横过 这 门-源 的 这
desired 场效应晶体管. 这个 enhances 这 场效应晶体管 和 转变 在
这 topside 转变. 这 转变 node 电压, sw, rises 至
V
在
和 这 boost 管脚 跟随. 和 这 topside 场效应晶体管
在, 这 boost 电压 是 在之上 这 输入 供应 (v
BOOST
=
V
CC
+ v
在
). 这 值 的 这 boost 电容 c
B
needs 至 是
30 至 100 时间 那 的 这 总的 门 承担 电容 的
这 topside 场效应晶体管(s) 作 指定 在 这 生产者’s
数据 薄板. 这 反转 损坏 的 d
B
必须 是 更好
比 v
在(最大值).
运算的 放大器
这 放大器 有 一个 0 至 v
CC
– 1.4v 一般 模式 输入
范围 和 一个 输出 摆动 范围 的 0 至 v
CC
– 1.2v. 这
输出 使用 一个 npn 发射级 追随着 没有 任何 内部的
拉-向下 电流. 一个 直流 resistive 加载 至 地面 是 re-
quired 在 顺序 至 下沉 电流.
输出 电压
这 ic 包含 一个 digitally 控制 5-位 attenuator
在 这 ampout 管脚 和 这 eain 管脚 结果 在
输出 电压 作 定义 在 表格 1. 输出 电压 和
25mv increments 是 生产 从 0.6v 至 1v 和 50mv
increments 从 1v 至 1.75v.
APPLICATIOs i 为 atio
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