6.42
idt7164s/l
cmos 静态的 内存 64k (8k x 8-位) 军队, 商业的, 和 工业的 温度 范围
5
注释:
1. 0° 至 +70°c 温度 范围 仅有的.
2. 0° 至 +70°c 和 –55°c 至 +125°c 温度 范围 仅有的.
3. 两个都 碎片 选择 必须 是 起作用的 为 这 设备 至 是 选择.
4. 这个 参数 是 有保证的 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
标识 参数
7164S15
(1 )
7164L15
(1 )
7164S20
(2 )
7164L20
(2 )
7164S25
7164L25
7164S35
7164L35
Unit
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
读 cycle
t
RC
ReadCycle时间 15
____
20
____
25
____
35
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
15
____
19
____
25
____
35 ns
t
ACS1
(3 )
碎片 选择-1 进入 时间
____
15
____
20
____
25
____
35 ns
t
ACS2
(3 )
碎片 选择-2 进入 时间
____
20
____
25
____
30
____
40 ns
t
clz1,2
(4 )
碎片 select-1, 2 至输出 在 low-z 5
____
5
____
5
____
5
____
ns
t
OE
Output enable至输出 valid
____
7
____
8
____
12
____
18 ns
t
OLZ
(4 )
Output enab le至Output在Low-z 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
CHZ1 ,2
(4 )
碎片 选择-1,2 至输出在 高-z
____
8
____
9
____
13
____
15 ns
t
OHZ
(4 )
Output disab le至Output 在 high-z
____
7
____
8
____
10
____
15 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 5
____
5
____
5
____
5
____
ns
t
PU
(4 )
碎片 sele ct 至Po我们r 向上时间 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
(4 )
碎片 deselect至 po我们r 做wn 时间
____
15
____
20
____
25
____
35 ns
Write cycle
t
WC
写 循环 时间 15
____
20
____
25
____
35
____
ns
t
CW1 , 2
碎片 选择 至 终止-的-写 14
____
15
____
18
____
25
____
ns
t
AW
地址 有效的 至 终止-的-写 14
____
15
____
18
____
25
____
ns
t
作
地址 设置-向上 时间 0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 14
____
15
____
21
____
25
____
ns
t
WR1
写Recovery时间(
CS
1
,
我们
)0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR2
写Recovery时间(cs
2
)5
____
5
____
5
____
5
____
ns
t
WHZ
(4 )
写Enable至 输出 在 high-z
____
6
____
8
____
10
____
14 ns
t
DW
数据 至 写 时间 overlap 8
____
10
____
13
____
15
____
ns
t
DH1
数据 holdfrom写德州仪器me (
CS
1
,
我们
)0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
DH2
数据 hold from 写德州仪器me(cs
2
)5
____
5
____
5
____
5
____
ns
t
OW
(4 )
Output 交流tive从 终止-of-写 4
____
4
____
4
____
4
____
ns
2967 tbl12
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