2001 十一月 30 2
飞利浦 半导体 初步的 规格
单独的 2-输入 或者 门 74AUC1G32
特性
•
宽 供应 电压 范围 从 0.8 至 2.7 V
•
效能 optimised 为 v
CC
= 1.8 V
•
高 噪音 免除
•
遵守 和 电子元件工业联合会 标准:
– jesd76 (1.65 至 1.95 v)
•
8 毫安 输出 驱动 (v
CC
= 1.65 v)
•
cmos 低 电源 消耗量
•
获得-向上 效能
≤
250 毫安
•
3.3 v tolerant 输入/输出
•
sc-88a 和 sc-74a 包装.
描述
这 74auc1g32 是 一个 高-效能, 低-电源,
低-电压, si-门 cmos 设备.
施密特-触发 action 在 所有 输入 制造 这 电路
tolerant 为 slower 输入 上升 和 下降 时间.
这个 设备 是 全部地 指定 为 partial 电源-向下
产品 使用 I
止
. 这 I
止
电路系统 使不能运转 这 输出,
阻止 这 损害的 电流 backflow 通过 这
设备 当 它 是 powered 向下.
这 74auc1g32 提供 这 单独的 2-输入 或者 函数.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; 输入 slewrate
≥
1 v/ns.
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
+(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特.
2. 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
.
标识 参数 情况 典型 单位
t
PHL
/t
PLH
传播 延迟 输入 一个 和 b 至
输出 Y
V
CC
= 1.2 v; c
L
= 15 pf; r
L
=2k
Ω
ns
V
CC
= 1.5 v; c
L
= 15 pf; r
L
=2k
Ω
ns
V
CC
= 1.8 v; c
L
= 30 pf; r
L
=1 k
Ω
ns
V
CC
= 2.5 v; c
L
= 30 pf; r
L
= 500
Ω
ns
C
I
输入 电容 4 pF
C
PD
电源 消耗 电容 每 缓存区 V
CC
= 1.8 v; 注释 1 和 2 14 pF
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