©2002 仙童 半导体 公司 fdb2532 / fdp2532 / fdi2532 rev. a1
fdb2532 / fdp2532 / fdi2532
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
止 特性
在 特性
动态 特性
resistive 切换 特性
(v
GS
= 10v)
流-源 二极管 特性
注释:
1:
开始 t
J
= 25
°
c, l = 0.5 mh, i
作
= 40a.
2:
脉冲波 宽度 = 100s
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDB2532 FDB2532 至-263ab 330mm 24mm 800 单位
FDP2532 FDP2532 至-220ab Tube n/一个 50 单位
FDI2532 FDI2532 至-262ab Tube n/一个 50 单位
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
B
VDSS
流 至 源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 150 - - V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 120v - - 1
µ
一个
V
GS
= 0v T
C
= 150
o
c- - 250
I
GSS
门 至 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
V
gs(th)
门 至 源 门槛 电压 V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
a2-4v
r
ds(在)
流 至 源 在 阻抗
I
D
= 33a, v
GS
= 10v - 0.014 0.016
Ω
I
D
= 16a, v
GS
= 6v, - 0.016 0.024
I
D
= 33a, v
GS
= 10v,
T
C
= 175
o
C
- 0.040 0.048
C
ISS
输入 电容
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz
- 5870 - pF
C
OSS
输出 电容 - 615 - pF
C
RSS
反转 转移 电容 - 135 - pF
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 10v V
GS
= 0v 至 10v
V
DD
= 75v
I
D
= 33a
I
g
= 1.0ma
-86129nc
Q
g(th)
门槛 门 承担 V
GS
= 0v 至 2v - 11 16 nC
Q
gs
门 至 源 门 承担 - 23 - nC
Q
gs2
门 承担 门槛 至 plateau - 13 - nC
Q
gd
门 至 流
“
Miller
”
承担 - 20 - nC
t
在
转变-在 时间
V
DD
= 75v, i
D
= 33a
V
GS
= 10v, r
GS
= 3.6
Ω
- - 69 ns
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 - 16 - ns
t
r
上升 时间 - 30 - ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 39 - ns
t
f
下降 时间 - 17 - ns
t
止
转变-止 时间 - - 84 ns
V
SD
源 至 流 二极管 电压
I
SD
= 33a - - 1.25 V
I
SD
= 16a - - 1.0 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
SD
= 33a, di
SD
/dt= 100a/
µ
s - - 105 ns
Q
RR
反转 恢复 承担 I
SD
= 33a, di
SD
/dt= 100a/
µ
s - - 327 nC
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