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©2002 仙童 半导体 公司 fdb2532 / fdp2532 / fdi2532 rev. a1
fdb2532 / fdp2532 / fdi2532
图示 11.  normalized 流 至 源
损坏 电压 vs 接合面 温度
图示 12.  电容 vs 流 至 源
电压
图示 13.  门 承担 波形 为 常量 门 电流
典型 特性
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出
0.9
1.0
1.1
1.2
-80 -40 0 40 80 120 160 200
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
I
D
= 250
µ
一个
损坏 电压
100
1000
10000
0.1 1 10 150
50
c, 电容 (pf)
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
=
C
GS
+ c
GD
C
OSS
≅
C
DS
+ c
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
0
2
4
6
8
10
0 20406080100
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
Q
g
, 门 承担 (nc)
V
DD
= 75v
I
D
= 33a
I
D
= 16a
波形 在
descending 顺序:

标　题:
内　容:
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©2002 仙童半导体公司 fdb2532 / fdp2532 / fdi2532 rev. a1 fdb2532 / fdp2532 / fdi2532 图示 11. normalized 流至源损坏电压 vs 接合面温度图示 12. 电容 vs 流至源电压图示 13. 门承担波形为常量门电流典型特性 T 一个 = 25 ° c 除非否则指出 0.9 1.0 1.1 1.2 -80 -40 0 40 80 120 160 200 T J , 接合面温度 ( o c) normalized 流至源 I D = 250 µ 一个损坏电压 100 1000 10000 0.1 1 10 150 50 c, 电容 (pf) V GS = 0v, f = 1mhz C ISS = C GS + c GD C OSS ≅ C DS + c GD C RSS = C GD V DS , 流至源电压 (v) 0 2 4 6 8 10 0 20406080100 V GS , 门至源电压 (v) Q g , 门承担 (nc) V DD = 75v I D = 33a I D = 16a 波形在 descending 顺序:

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